Радиационно стойкие микросхемы для вторичных источников питания


Радиационно стойкие ШИМ-контроллеры

1360ЕП5Т 01
1359ЕУ094
ШИМ-контроллер с управлением синхронным выпрямителем

Частота генерации: от 50 кГц до 1000 кГц
Напряжение питания: от 9 В до 14 В
Потребление: 7 мА
Доступна поставка с приёмкой ОТК

Параметр Характеристики
Состояние разработки срок завершения ОКР 2026 г.
Частота генерации от 50 кГц до 1000 кГц
Технология КМОП-КНС, 0,6 мкм
Напряжение питания от 9 В до 14 В
Ток потребления до 7 мА
Тип корпуса МК.4112.16-3.04, УФ0.487.005ТУ
Бескорпусное исполнение модификация «Н4» (1359ЕУ09Н4)
Стойкость к спецфакторам 7И1 - 5Ус,
7И6 - 5Ус,
7И7 - 5Ус,
7И8 - 0,1x1Ус,
7С1 - 4Ус,
7С4 - 0,5x5Ус,
7К1 - 2,5x1К,
7К4 - 0,1x1К
Технические условия: АЕНВ.431420.810ТУ
Техническое описание
Габаритный чертеж
Условное обозначение для САПР
3D-модели для САПР (step, stl)
1360ЕП5Т 01
1359ЕУ074
ШИМ-контроллер

Напряжение питания от 9 до 36 В
Выходное напряжение ИОН от 4,8 до 5,2 В
Время нарастания импульса выходного напряжения не более 150 нс
Время спада импульса выходного напряжения не более 120 нс
Доступна поставка с приёмкой ОТК

Параметр Характеристики
Состояние разработки срок завершения ОКР 2023 г.
Частота генерации: от 50 кГц до 500 кГц
Технология КМОП-КНС, 0,6 мкм
Напряжение питания от 9 до 36 В
Выходное напряжение источника опорного напряжения от 4,9 до 5,1 В
Время нарастания импульса выходного напряжения не более 150 нс
Время спада импульса выходного напряжения не более 120 нс
Тип корпуса 4112.16-3.04, УФ0.487.005ТУ
Бескорпусное исполнение модификация «Н4» (1359ЕУ07Н4)
Стойкость к спецфакторам 7И1 - 6Ус,
7И6 - 6Ус,
7И7 - 5Ус,
7И8 - 0,02x1Ус,
7С1 - 5Ус,
7С4 - 1,5x5Ус,
7К1 - 2x2К,
7К4 - 2x1К,
7К1... 7К4 - 2x1К,
в ходе выполнения ОКР будут проведены определительные испытания на стойкость к факторам 7К9 (7К10), 7К11 (7К12)
Технические условия: АЕНВ.431420.755ТУ
Техническое описание
Габаритный чертеж
Условное обозначение для САПР
3D-модели для САПР (step, stl)
1359ЕУ044_01.1304
1359ЕУ044
ЧИМ-контроллер для управления ключами полумостового резонансного инвертора

Частота генерации: до 1 МГц 
Напряжение питания: от 16 В до 36 В 
Потребление: 7 мА
Доступна поставка с приёмкой ОТК

Параметр Характеристики
Состояние разработки: ОКР завершена. Микросхема поставляется с Литерой «А»
Частота генерации: до 1 МГц
Технология: КМОП КНС, 3.0 мкм
Напряжение питания: от 16 В до 36 В (с возможностью понижения)
Ток потребления: до 7 мА
Тип корпуса: МК.4112.16-3.04, УФ0.487.005ТУ
Бескорпусное исполнение: модификация «Н4» (1359ЕУ04Н4)
Стойкость к спецфакторам 7И1 - 3x5Ус,
7И6 - 2x5Ус,
7И7 - 5Ус,
7И8 - 0,1x1Ус,
7С1 - 300x1Ус,
7С4 - 2,5x5Ус,
7К1 - 2,5x1К,
7К4 - 0,1x1К,
7К9 (7К10) - ОРЭ ТЭ и КО: стойкая, ОРЭ ОС: стойкая,
7К11(7К12) - ОРЭ ТЭ и КО: 60 МэВ∙см 2/мг (пороговые ЛПЭ), 8,9x10-8 см2 (сечение отказов), 8,0x10-2 см2 (сечение насыщения), ОРЭ ОС: 60 МэВ∙см2/мг (пороговые ЛПЭ), 1,7x10-7 см2/бит (сечение сбоев)
Технические условия АЕНВ.431420.580ТУ
Наличие в межотраслевых ограничительных перечнях 2023 г.
Техническое описание
Габаритный чертеж
Условное обозначение для САПР
3D-модели для САПР (step, stl)
1359ЕУ03A4 01
1359ЕУ034
ШИМ-контроллер

Частота генерации: до 1,0 МГц
Напряжение питания: от 9 В до 16 В
Потребление: 6 мА
Импульсный выходой ток: до 1 А
Доступна поставка с приёмкой ОТК

Параметр Характеристики
Состояние разработки ОКР завершена. Микросхема поставляется с Литерой «А»
Частота генерации до 1 МГц
Технология КМОП, 2.6 мкм
Напряжение питания от 9 В до 16 В
Максимальная длительность рабочего цикла 50 %
Импульсный выходной ток до 1 А
Ток потребления до 6 мА
Тип корпуса МК.4112.16-2, УФ0.487.001ТУ
Бескорпусное исполнение модификация «Н4» (1359ЕУ03Н4)
Стойкость к спецфакторам 7И1 - 5Ус,
7И6- 5Ус,
7И7- 5Ус,
7И8- 0,02x1Ус,
7С1 - 100x5Ус,
7С4 - 5x5Ус,
7С5 - 1Ус... 10 6x1Ус,
7К1 - 3,3x2К,
7К4 - 3,3x1К,
7К9 (7К10) - ОРЭ ТЭ и КО: стойкая, ОРЭ ОС: стойкая,
7К11(7К12) - ОРЭ ТЭ и КО: 69 МэВ∙см 2/мг (пороговые ЛПЭ), 5,9x10-8 см2 (сечение отказов)
Технические условия: АЕНВ.431420.233ТУ
Наличие в межотраслевых ограничительных перечнях есть
Техническое описание
Габаритный чертеж
Условное обозначение для САПР
3D-модели для САПР (step, stl)
1359ЕУ1Т 01
1359ЕУ1Т
ШИМ-контроллер с выбором режимов работ

Частота генерации: до 500 кГц
Напряжение питания: от 9 В до 36 В
Потребление: 7 мА
Доступна поставка с приёмкой ОТК

Параметр Характеристики
Состояние разработки ОКР завершена. Микросхема поставляется с Литерой «А»
Частота генерации до 0,5 МГц
Технология КМОП-КНС, 3.0 мкм
Напряжение питания от 9 В до 36 В
Максимальная длительность рабочего цикла синхронный режим: 50%, 100%
двухтактный режим: 50%
Импульсный выходной ток до 1 А
Ток потребления до 7 мА
Тип корпуса МК.4112.16-3.04, УФ0.487.005ТУ
Бескорпусное исполнение модификация «Н4» (1359ЕУ1Н4)
Стойкость к спецфакторам 7И1 - 6Ус,
7И6 - 6Ус,
7И7 - 2x4Ус,
7С1 - 5Ус,
7С4 - 5Ус
Технические условия АЕЯР.431420.935ТУ
Наличие в межотраслевых ограничительных перечнях есть
Техническое описание
Габаритный чертеж
Условное обозначение для САПР
3D-модели для САПР (step, stl)
1391ЕУ015 01
1391ЕУ015
ШИМ-контроллер с управлением двухтактным инвертором

Частота генерации: до 1 МГц
Напряжение питания: от 9 В до 16 В
Потребление: 6 мА
Импульсный выходной ток: до 1 А
Доступна поставка с приёмкой ОТК

Параметр Характеристики
Состояние разработки: ОКР завершена (Литера «О»)
Технология: КМОП на объемном кремнии, 2.6 мкм
Частота генерации: от 50 кГц до 1000 кГц
Максимальная длительность рабочего цикла: 95-100 %
Импульсный выходной ток: до 1 А
Напряжение питания: от 9 В до 16 В
Ток потребления: до 6 мА
Тип корпуса: Н08.24-2В, УФ0.481.005ТУ
Бескорпусное исполнение: Модификация «Н4»
Стойкость к спецфакторам 7И1, 7И6, 7И7, 7С1, 7С4: повышенная
Температурный диапазон*: -60 ºС ... +125 ºС
Технические условия: АЕНВ.431420.120ТУ
Техническое описание
Габаритный чертеж
Условное обозначение для САПР
3D-модели для САПР (step, stl)


Радиационно стойкие DC-DC преобразователи

1360ЕУ3Т
1360ЕУ3.3Т, 1360ЕУ5Т
Понижающий DC-DC преобразователь

Частота генерации: до 125 кГц
Напряжение питания: от 5 В до 12 В  
Выходное напряжение: 3,3 В; 5,0 В
Потребление: 40 мА
Доступна поставка с приёмкой ОТК

Параметр Характеристики
Состояние разработки ОКР завершена. Микросхема поставляется с Литерой «А»
Частота генерации от 0,05 МГц до 0,125 МГц
Технология КМОП, 2.6 мкм
Напряжение питания от 5 В до 12 В
Максимальная длительность рабочего цикла 95 %
Выходное напряжение 3,3±0,12 В; 5,0±0,18 В
Ток потребления: до 15 мА
Тип корпуса: МК.4112.16-3.04, УФ0.487.005ТУ
Бескорпусное исполнение: модификация «Н4» (1360ЕУ3.3Н4/1360ЕУ5Н4)
Стойкость к спецфакторам 7И1 - 6Ус,
7И6 - 5x5Ус,
7И7 - 6Ус,
7И12 - 2x2H,
7C1 - 100x5Ус,
7C4 - 10x5Ус,
7К1 - 10x1К,
7К4 - 1К
Технические условия: АЕЯР.431420.937ТУ
Наличие в межотраслевых ограничительных перечня есть
Техническое описание
Габаритный чертеж
3D-модели для САПР (step, stl)
1360ЕП5Т 01
1360ЕП3.3Т, 1360ЕП5Т
Преобразователи постоянного напряжения

Частота генерации: до 125 кГц
Напряжение питания: от 6 В до 20 В
Выходное напряжение: 3,3 В; 5,0 В
Потребление: 40 мА
Доступна поставка с приёмкой ОТК

Параметр Характеристики
Состояние разработки: ОКР завершена (Литера «О»)
Технология: КМОП на объемном кремнии, 2.6 мкм
Частота генерации: от 50 кГц до 125 кГц
Максимальная длительность рабочего цикла: 95 %
Выходное напряжение: 3,3±0,12 В; 5,0±0,18 В
Максимальный ток нагрузки: до 1.2 А
Напряжение питания: от 6 В до 20 В
Ток потребления: до 20 мА
Тип корпуса: Н08.24-2В, УФ0.481.005ТУ
Бескорпусное исполнение: Модификация «Н4»
Стойкость к спецфакторам 7И1, 7И6, 7И7, 7К1, 7К4: экстремальная
Температурный диапазон*: -60 ºС ... +125 ºС
Технические условия: АЕНВ.431420.120ТУ
Техническое описание
Габаритный чертеж
Условное обозначение для САПР
3D-модели для САПР (step, stl)
1360ЕП5Т 01
5350НН014
Понижающий DC-DC преобразователь с гистерезисным управлением

Частота генерации: до 1000 кГц
Напряжение питания: от 4 В до 6 В
Напряжение обратной связи: от 0,890 В до 1,110 В
Потребление: 13 мА
Доступна поставка с приёмкой ОТК

Параметр Характеристики
Состояние разработки срок завершения ОКР 2026 г.
Частота генерации: от 500 кГц до 1000 кГц
Технология КНИ, 0,35 мкм
Напряжение питания от 4 В до 6 В
Напряжение обратной связи от 0,890 В до 1,110 В
Сопротивление верхнего ключа 0,1 Ом
Сопротивление нижнего ключа 0,1 Ом
Ток потребления до 13 мА
Тип корпуса КТ-121, ТАСФ.432252.020ТУ
Бескорпусное исполнение модификация «Н4» (5350НН01Н4)
Стойкость к спецфакторам 7И1 - 5Ус,
7И6 - 5Ус,
7И7 - 5Ус,
7И8 - 0,02x1Ус,
7С1 - 100x5Ус,
7С4 - 5x5Ус,
в ходе выполнения ОКР будут проведены определительные испытания на стойкость к факторам 7К 1, 7К4, 7К9 (7К10), 7К11 (7К12)
Технические условия: АЕНВ.431420.477ТУ
Техническое описание
Габаритный чертеж
Условное обозначение для САПР
3D-модели для САПР (step, stl)
1360ЕП5Т 01
Повышающий DC-DC преобразователь

Частота генерации: от 50 кГц до 500 кГц
Напряжение питания: от 4.5 до 9.0 В
Напряжение обратной связи: 1±0,075 В
Потребление: 6 мА
Доступна поставка с приёмкой ОТК

Параметр Характеристики
Состояние разработки срок завершения ОКР 2026 г.
Частота генерации от 50 кГц до 500 кГц
Технология КМОП, 1.6 мкм
Напряжение питания от 4.5 до 9.0 В
Напряжение включения микросхемы от 3.0 до 4.5 В
Напряжение обратной связи 1±0,075 В
Сопротивление ключа 0.07 Ом
Ток потребления до 6 мА
Тип корпуса КТ-120, ТАСФ.432252.020ТУ
Бескорпусное исполнение модификация «Н4»
Стойкость к спецфакторам 7И1 - 5Ус,
7И6 - 5Ус,
7И7 - 5Ус,
7И8 - 0,02x1Ус,
7С1 - 100x5Ус,
7С4 - 5x5Ус,
7К1 - 2,5x1К,
7К4 - 0,1x1К,
в ходе выполнения ОКР будут проведены определительные испытания на стойкость к факторам 7К9 (7К10), 7К11 (7К12)
Техническое описание
Габаритный чертеж
Условное обозначение для САПР
3D-модели для САПР (step, stl)
1360ЕП5Т 01
1360НН014
Понижающий DC-DC преобразователь

Частота генерации: до 600 кГц
Напряжение питания: от 4.5 до 7.0 В
Напряжение обратной связи: 1±0,075 В
Потребление: 13 мА
Доступна поставка с приёмкой ОТК

Параметр Характеристики
Состояние разработки срок завершения ОКР 2025 г.
Частота генерации от 50 до 600 кГц
Технология КМОП, 1.6 мкм
Напряжение питания от 4.5 до 7.0 В
Напряжение обратной связи 1±0,075 В
Сопротивление верхнего ключа 0.07 ом
Сопротивление нижнего ключа 0.07 ом
Ток потребления до 13 мА
Тип корпуса КТ-120, ТАСФ.432252.020ТУ
Бескорпусное исполнение модификация «Н4» (1364НН01Н4)
Стойкость к спецфакторам 7И1 - 5Ус,
7И6 - 5Ус,
7И7 - 5Ус,
7И8 - 0,02x1Ус,
7С1 - 100x5Ус,
7С4 - 5x5Ус,
7К1 - 2К,
7К4 - 1К,
в ходе выполнения ОКР будут проведены определительные испытания на стойкость к факторам 7К1, 7К4, 7К9 (7К10), 7К11 (7К12)
Технические условия: АЕНВ.431320.645ТУ
Техническое описание
Габаритный чертеж
Условное обозначение для САПР
3D-модели для САПР (step, stl)


Радиационно стойкие драйверы

1360ЕП5Т 01
1359ЕУ084
Драйвер управления синхронным выпрямителем

Частота генерации: от 50 кГц до 500 кГц
Напряжение питания: от 11 В до 16 В
Потребление: 7 мА
Доступна поставка с приёмкой ОТК

Параметр Характеристики
Состояние разработки срок завершения ОКР 2025 г.
Технология КМОП КНС, 0,6 мкм
Частота генерации от 50 кГц до 500 кГц
Выходное напряжение высокого уровня от 8 В до 16 В
Выходное напряжение низкого уровня до 1 В
Напряжение питания от 11 до 16 В
Ток потребления до 7 мА
Тип корпуса МК.4112.16-3.04, УФ0.487.005ТУ
Бескорпусное исполнение Модификация «Н4» (1359ЕУ08Н4)
Стойкость к спецфакторам 7И 1 - 5Ус,
7И6 - 5Ус,
7И7 - 5Ус,
7С1 - 100x5Ус,
7С4 - 5x5Ус,
в ходе выполнения ОКР будут проведены определительные испытания на стойкость к факторам 7И8 , 7К1 , 7К4 , 7К9 (7К10), 7К11 (7К12)
Технические условия: АЕНВ.431420.779ТУ
Техническое описание
Габаритный чертеж
Условное обозначение для САПР
3D-модели для САПР (step, stl)
1360ЕП5Т 01
1359ЕУ064
Драйвер полумоста NMOS транзисторов

Напряжение питания от 9 до 14 В
Максимальное напряжение драйвера верхнего ключа до 36 В
Время переключения: до 70 нс
Доступна поставка с приёмкой ОТК

Параметр Характеристики
Состояние разработки: срок завершения ОКР 2023 г.
Технология: КМОП КНС, 3.0 мкм
Напряжение питания: от 9 до 14 В
Время задержки переключения: от 70 нс
Время нарастания выходного напряжения при нагрузке 5000 пФ: 70 нс
Время спада выходного напряжения при нагрузке 5000 пФ: 100 нс
Максимальное напряжение на «общем выводе» драйвера верхнего ключа: от 0 до 36 В
Тип корпуса МК.4112.16-3.04, УФ0.487.005ТУ
Бескорпусное исполнение модификация «Н4» (1359ЕУ06Н4)
Стойкость к спецфакторам 7И1 - 5Ус,
7И6 - 5Ус,
7И7 - 5Ус,
7С1 - 100x5Ус,
7С4 - 5x5Ус,
в ходе выполнения ОКР будут проведены определительные испытания на стойкость к факторам 7И2, 7И3, 7И8, 7К1, 7К4, 7К9(7К10), 7К11(7К12)
Технические условия АЕНВ.431420.723ТУ
Техническое описание
Габаритный чертеж
Условное обозначение для САПР
3D-модели для САПР (step, stl)
1359ЕУ2Т 01
1359ЕУ2Т
Драйвер управления вторичными источниками с повышенным напряжением питания

Частота генерации: до 500 кГц
Напряжение питания: от 7 В до 40 В
Потребление: 6 мА
Доступна поставка с приёмкой ОТК

Параметр Характеристики
Состояние разработки: ОКР завершена (Литера «О»)
Технология: КМОП-КНС, 3.0 мкм
Частота генерации: от 10 кГц до 500 кГц
Максимальная длительность рабочего цикла: 50 - 80 %
Импульсный выходной ток: до 1 А
Напряжение питания: от 7 В до 40 В
Ток потребления: до 7 мА
Тип корпуса: 4112.16-3.04, УФ0.487.005ТУ
Бескорпусное исполнение: Модификация «Н4»
Стойкость к спецфакторам 7И1, 7И6, 7И7, 7С1, 7С4, 7К1, 7К4: повышенная
Технические условия: АЕЯР.431420.936ТУ
Техническое описание
Габаритный чертеж
Условное обозначение для САПР
3D-модели для САПР (step, stl)
1364АП1Т 01
1364АП1Т
Драйвер управления n-канальными МОП-транзисторами

Напряжение питания: от 9 В до 36 В
Входной управляющий ток: до 3 мА
Выходное напряжение: от 8 В до 20 В
Время переключения: 80 - 150 нс
Доступна поставка с приёмкой ОТК

Параметр Характеристики
Состояние разработки ОКР завершена. Микросхема поставляется с Литерой «А»
Технология КМОП КНС, 3.0 мкм
Напряжение питания от 9 В до 36 В
Входной управляющий ток до 100 мкА
Выходное напряжение от 8 В до 20 В
Время задержки переключения 80 - 150 нс
Время нарастания выходного напряжения при нагрузке 5000 пФ 120 нс
Время спада выходного напряжения при нагрузке 5000 пФ 120 нс
Тип корпуса МК.4112.16-3.04, УФ0.487.005ТУ
Бескорпусное исполнение модификация «Н4» (1364АП1Н4)
Стойкость к спецфакторам 7И1 - 6Ус,
7И6 - 6Ус,
7И7 - 6Ус,
7И8 - 0,1x1Ус,
7С1 - 4Ус,
7С4 - 0,5x5Ус,
7К1 - 2,5x1К,
7К4 - 0,1x1К
Технические условия АЕЯР.431310.951ТУ
Наличие в межотраслевых ограничительных перечнях есть
Техническое описание
Габаритный чертеж
Условное обозначение для САПР
3D-модели для САПР (step, stl)


Радиационно стойкий монитор питания

1359ЕУ044_01.1304
5538СХ014
Монитор питания

Время задержки выключения: от 100 мс до 500 мс
Время задержки включения: до 0,5 мс
Напряжение питания от 2,5 до 3,6 В
Доступна поставка с приёмкой ОТК

Параметр Характеристики
Состояние разработки срок завершения ОКР 2026 г.
Частота генерации до 1 МГц
Технология КМОП КНС, 3.0 мкм
Напряжение питания от 2,5 В до 3,6 В
Напряжение срабатывания от 2,6 В до 2,9 В (по входу А)
от 2,1 В до 2,3 В (по входу Б)
от 1,5 В до 1,65 В (по входу В)
Выходное напряжение низкого уровня до 0,4 В
Выходной ток высокого уровня в состоянии «выключено» от -10 мкА до 10 мкА
Время задержки включения до 0,5 мс
Тип корпуса МК.4112.16-3.04, УФ0.487.005ТУ
Стойкость к спецфакторам 8И1 - 3x5Ус,
8И6 - 6Ус,
8И7 - 6Ус,
8С1 - 300x5Ус,
8С8 - 10x5Ус
Технические условия: АЕНВ.431290.809ТУ
Техническое описание
Габаритный чертеж
3D-модели для САПР (step, stl)


Радиационно стойкий генератор обратной связи

1359ЕУ044_01.1304
1359ЕУ054
Генератор для передачи обратной связи с гальванической развязкой

Напряжение питания: от 5 В до 36 В
Потребление: 7 мА
Доступна поставка с приёмкой ОТК

Параметр Характеристики
Состояние разработки ОКР завершена (Литера «О»)
Частота генерации до 1 МГц
Технология КМОП КНС, 3.0 мкм
Напряжение питания от 5 В до 36 В
Ток потребления до 4 мА
Тип корпуса: МК.4112.16-3.04, УФ0.487.005ТУ
Бескорпусное исполнение: модификация «Н4» (1359ЕУ05Н4)
Стойкость к спецфакторам 7И1 - 5Ус,
7И6 - 5Ус,
7И7 - 5Ус,
7И8 - 0,02x1Ус,
7С1 - 4Ус,
7С4 - 0,5x5Ус,
7К1 - 2,5x1К,
7К4 - 0,1x1К,
в ходе выполнения ОКР будут проведены определительные испытания на стойкость к факторам 7К9 (7К10), 7К11 (7К12)
Технические условия: АЕНВ.431420.694ТУ
Техническое описание
Габаритный чертеж
3D-модели для САПР (step, stl)


Радиационно стойкий стабилизатор напряжения

1378ЕР014 01
1378ЕР014
Регулирумый стабилизатор напряжения 

Входное напряжение: от 2,8 В до 9,0 В
Выходное напряжение: от 1,8 В до 5,0 В 
Напряжение питания: 5 В
Потребление: 5 мА
Доступна поставка с приёмкой ОТК

Параметр Характеристики
Состояние разработки: ОКР завершена (Литера «О»)
Технология: КМОП на объемном кремнии, 2.6 мкм
Входное напряжение: от 2,8 В до 9,0 В
Выходное напряжение: от 1,8 В до 5,0 В
Стабильность выходного напряжения: до 0,3 %
Выходной ток: до 1,5 А
Напряжение питания: 5,0 В
Ток потребления: до 5,0 мА
Тип корпуса: 4153.20-5, УФ0.487.005ТУ
Бескорпусное исполнение: Модификация «Н4»
Стойкость к спецфакторам 7И1, 7И6, 7И7, 7И8, 7С1, 7С4: повышенная
Технические условия: АЕНВ.431420.296ТУ
Техническое описание
Габаритный чертеж
3D-модели для САПР (step, stl)

Предприятие:

Адрес:

Контакты: