Разработка и освоение производства транзисторов и диодов матричного типа с повышенной надежностью и рассеиваемой мощностью на основе карбида кремния с алмазосодержащим теплоотводом / шифр "Карбид"
Комплексный проект "Карбид" реализуется за счет субсидии Министерства промышленности и торговли России и в рамках постановления Правительства Российской Федерации №1252 от 24 июля 2021 г.
Срок реализации комплексного проекта
Этап I. Создание научно-технического задела в рамках комплексного проекта с 01.11.2023 по 30.09.2028.
Этап II. Организация производства продукции и вывода на рынок c 10.01.2028 по 30.09.2030.
Электрические параметры изделий
Линейка матричных карбидокремниевых полевых транзисторов с алмазосодержащим теплоотводом
Максимально допустимое напряжение «сток-исток» от 2300 В
Максимально допустимый постоянный ток стока до 120 А
Предназначены для использования в качестве полностью управляемых ключей в электрических цепях силовых электронных модулей с постоянным током до 120 А
Линейка матричных карбидокремниевый диодов Шоттки с алмазосодержащим теплоотводом
Максимальное постоянное обратное напряжение от 2300 В
Максимально допустимый постоянный прямой ток до 30 А
Предназначены для преобразования переменного тока амплитудой до 30 А в постоянный, а также стабилизации выходного напряжения величиной в устройствах электропреобразователей, накопителей энергии и источников питания
План-график реализации
| Работа | Годы реализации
|
|||||||||
| Разработка эскизной КД для изготовления тестовых образцов |
|
|||||||||
| Изготовление пластин с кристаллами тестовых образцов |
|
|||||||||
| Разработка эскизной КД и ТД для изготовления макетных образцов матричных транзисторов и диодов Шотки |
|
|||||||||
| Изготовление и испытания макетных образцов матричных транзисторов и диодов Шотки |
|
|||||||||
| Коррекция эскизной КД и ТД для изготовления макетных образцов матричных транзисторов и диодов Шотки |
|
|||||||||
| Изготовление и испытания макетных образцов матричных транзисторов и диодов Шотки |
|
|||||||||
| Разработка рабочих КД и ТД для изготовления опытных образцов матричных транзисторов и диодов Шотки |
|
|||||||||
| Изготовление, проведение предварительных испытаний опытных образцов матричных транзисторов и диодов Шотки, корректировка РКД и ТД на ОО, присвоение литеры "О1" |
|
|||||||||
| Изготовление установочной серии матричных транзисторов и диодов Шотки. Проведение приемочных испытаний. Корректировка КД и ТД |
|
|||||||||
| Организация производства продукции и вывода на рынок |
|
Значения результатов и показатели, необходимые для достижения результата
| Результат | Плановые показатели, необходимые для достижения результата
|
|||||||
| Объем производства и реализации продукции, млн. руб. |
|
|||||||
| Количество вновь создаваемых и (или) модернизируемых ВТРМ, шт. |
|
|||||||
| Количество создаваемых РИД, ед. |
|
|||||||
| Объем экспорта продукции, тыс. $. |
|
Привлекаемые контрагенты
ООО «Экстрем-Карабаново»
(г. Карабаново)
