Наименование услуги | Описание |
---|---|
Разделение пластин на кристаллы: |
Разделение пластин КНИ и объемного кремния методом сквозной дисковой резки с применением алмазного режущего инструмента; - размер ширины реза с дефектной зоной составляет 40-50 мкм; - возможность разделения пластин диаметром до 200 мм; - возможность разделения пластин толщиной до 500 мкм. Разделение пластин КНС методом сквозной дисковой резки с применением алмазного режущего инструмента; - размер ширины реза с дефектной зоной составляет 200-250 мкм; - возможность разделения пластин диаметром до 200 мм; - возможность разделения пластин с толщиной до 500 мкм. Разделение пластин объемного кремния, КНИ лазерным методом с последующей доломкой (обязательное требование - отсутствие металлизации на дорожке реза) -размер ширины реза с дефектной зоной составляет менее 10 мкм; - возможность разделения пластин диаметром до 200 мм; - возможность разделения пластин с толщиной 100-450 мкм |
Формирование соединений между выводами кристалла и корпуса: | Ультразвуковая сварка проволочных выводов - материал используемой проволоки: алюминий; - диаметр используемой проволоки: от 17 до 75 мкм; от 100 до 500 мкм; Сварка клин-клин; - возможность осуществления многоуровневой разварки; - возможность формирования балочных выводов полиимидного носителя к контактным площадкам кристалла |
Монтаж кристаллов в корпуса на токопроводящие и токоизоляционные клеевые композиции: | Автоматический и ручной способ |
Герметизация металло-керамических корпусов: | Шовно-роликовая сварка в среде осушенного азота (точка росы ≤ -67ºС) |
Герметизация корпусов: | Вакуумная пайка в среде муравьиной кислоты (создание вакуума до -92,3 кПа) |
Маркировка изделий: | Лазерный метод |
Монтаж шариковых выводов (диаметром 0,35 и 0,4 мм): | Лазерный метод |
Контроль изделий электронной техники (цифровых СБИС, БИС, ОЗУ, ПЗУ, микросхем ЦАП, АЦП, СВЧ, дискретных полупроводниковых приборов) специального и общепромышленного назначения при их разработке, испытаниях, производстве и эксплуатации: | Тестер БИС "Formula-2K": - количество каналов до 128, - напряжение (от -5 до +6) В, - ток до 10мA, - частота до 20 МГц. Комплекс для измерения ЦАП и АЦП микросхем: - до 128 цифровых каналов, - напряжение (от 0 до 60) В, - ток от 10 мкА до 10А, - частота до 100 МГц. Комплекс для измерения СВЧ микросхем: - частота до 2 ГГц, - напряжение (от 0 до 25) В, - ток от 10 мА до 6А. Логический анализатор цифровых БИС - количество каналов до 256 - диапазон задания периода от 6 до 163840 нс - длина векторной последовательности до 7 МБт - диапазон задания/измерения напряжения от -2 В до 7В - диапазон задания/измерения тока ± 40мА - диапазон источников питания ± 8 В (8А) Зондовые установки для контроля кристаллов изделий на пластинах диаметром 100, 150 и 200 мм Установки «тепло/холод» для испытаний изделий в диапазоне температур от -60˚С до +225˚С. Контроль изделий на кристаллах и в корпусах проводится в ручном и полуавтоматическом режиме. Подбор либо разработка и изготовление оснастки индивидуально под каждого потребителя |