Разработка и освоение серийного производства унифицированных электронных компонентов для создания гидроакустических систем различного назначения / шифр "Акустика"

Комплексный проект "Акустика" реализуется за счет субсидии Министерства промышленности и торговли России и в рамках постановления Правительства Российской Федерации №1252 от 24 июля 2021 г.

Срок реализации комплексного проекта

Этап I. Создание научно-технического задела в рамках комплексного проекта с 01.09.2022 по 30.09.2026.
Этап II. Организация производства продукции и вывода на рынок c 01.10.2026 по 30.09.2028.

Электрические параметры микросхем

<>1339ВП1Т1 01
Инструментальный усилитель с программируемым коэффициентом усиления

Напряжение питания: от 3,0 до 3,6 В
Программируемое значение коэффициента усиления: х1, х2, х4, х8, х16, х32, х64, х128, х256, х512, х1024
Диапазон рабочих частот входного сигнала: от 5 до 500 кГц
Ток утечки низкого уровня на входе: - 0,1 мкА
Ток утечки высокого уровня на входе: 0,1 мкА

АЦП
Аналого-цифровой преобразователь

Напряжение питания: от 3,0 до 3,6 В
Разрядность: 14 бит
Число каналов: 4 шт.
Частота дискретизации: 1 МГц
Выходное напряжение низкого уровня: 0,4 В
Выходное напряжение высокого уровня: 2,4 В
Интегральная нелинейность: от - 8,0 до 8,0 МЗР
Ток утечки низкого уровня на цифровом входе: - 0,1 мкА
Ток утечки высокого уровня на цифровом входе: 0,1 мкА

<>1339ВП1Т1 01
Источник опорного напряжения для АЦП

Напряжение питания: от 3,0 до 3,6 В
Опорное напряжение на выходе: 1,24 ± 0,05 В
Температурный коэффициент: 60 ppm/оС

1339ВП1Т 01
Базовый матричный кристалл

Напряжение питания: от 3,0 до 3,6 В
Емкость вентилей «2И-НЕ»: 1 500 000
Объем встроенной памяти СОЗУ: 512 Кбайт
Количество пользовательских выводов: 48
Наличие встроенных СФ-блоков: UART, SPI, I2C, PLL
Выходное напряжение низкого уровня: 0,4 В
Выходное напряжение высокого уровня: 2,4 В
Ток утечки низкого уровня на входе: - 0,1 мкА
Ток утечки высокого уровня на входе: 0,1 мкА
Выходной ток низкого уровня в состоянии «выключено»: - 5.0 мкА
Выходной ток высокого уровня в состоянии «выключено»: 5,0 мкА
Время задержки на вентиль: 0,5 нс

<>1339ВП1Т1 01
ШИМ-контроллер формирования модулированного сигнала

Напряжение питания: от 9 до 14 В
Частота генерации: от 20 до 1000 кГц
Выходное напряжение источника опорного напряжения: от 4,85 до 5.15 В
Нестабильность источника опорного напряжения по входному напряжению: 0,05 %/В
Время нарастания импульса выходного напряжения: 15 нс
Время спада импульса выходного напряжения: 15 нс
Остаточное напряжение выходного каскада при втекающем токе: 0,4 В
Остаточное напряжение выходного каскада при вытекающем токе: 0,4 В
Входной ток усилителя ошибки: ǀ20ǀ мкА
Ток потребления статический: 5 мА

1339ВП1Т 01
Драйвер управления мощными выходными МОП транзисторами

Напряжение питания: от 4,5 до 14 В
Сопротивление выходных ключей: 7 Ом
Выходное сопротивление при вытекающем токе: 7 Ом
Выходное сопротивление при втекающем токе: 7 Ом
Время нарастания выходного напряжения: 40 нс
Время спада выходного напряжения: 40 нс
Время включения: 60 нс
Время выключения: 60 нс
Ток потребления при низком уровне управляющего напряжения: 3 мА

План-график реализации

Работа Годы реализации
2022 2023 2024 2025 2026 2027 2028 - 2031
Разработка схем электрических структурных и электрических принципиальных для изготовления макетов микросхем
до 12.2022
Разработка эскизной КД и ТД для изготовления макетов микросхем
до 03.2023
Разработка программ и методик исследований макетов микросхем. Разработка и изготовление оснастки для исследований
до 09.2023
Изготовление и исследование макетов микросхем
до 03.2024
Коррекция эскизной КД для изготовления макетов микросхем по результатам исследований
до 09.2024
Изготовление и проведение исследований макетов микросхем, изготовленных по скорректированной эскизной КД
до 03.2025
Разработка рабочих КД и ТД для изготовления опытных образцов микросхем
до 09.2025
Разработка программ и методик испытаний опытных образцов микросхем. Разработка и изготовление оснастки для испытаний
до 03.2026
Изготовление опытных образцов микросхем, проведение предварительных испытаний микросхем. Проведение испытаний микросхем в составе устройств гидроакустической системы
до 09.2026
Изготовление установочной серии микросхем. Проведение приемочных испытаний. Приёмка ОКР.
до 09.2026
Организация производства продукции и вывода на рынок
до 09.2028

Значения результатов и показатели, необходимые для достижения результата

Результат Плановые показатели, необходимые для достижения результата
с 01.10.2022 по 30.09.2023 с 01.10.2023 по 30.09.2024 с 01.10.2024 по 30.09.2025 с 01.10.2025 по 30.09.2026 с 01.10.2026 по 30.09.2027 с 01.10.2027 по 30.09.2028 Всего
Объем производства и реализации продукции, млн. руб.
000,0 000,0 007,9 155,4 216,5 232,9 612,7
Количество вновь создаваемых и (или) модернизируемых ВТРМ, шт.
1 2 2 1 0 0 6
Количество создаваемых РИД, ед.
0 2 2 3 0 0 7
Объем экспорта продукции, тыс. $.
000,0 000,0 000,0 339,4 332,4 332,4 1 004,2

Привлекаемые контрагенты

ИПФ РАН
(г. Нижний Новгород)

АО «НИИМА «Прогресс»
(г. Москва)

АО «НИИМЭ»
(г. Зеленоград)

Адрес:

Контакты: