Исходные структуры: |
КНИ 150 мм с толщиной приборного слоя 0,2 мкм, захороненного окисла 0,2 мкм |
Минимальные проектные нормы: |
0,35 мкм |
Количество уровней поликремния: |
1 |
Количество уровней металлизации: |
4 |
Количество карманов: |
2 |
Количество скрытых слоев: |
0 |
Количество подзатворных диэлектриков: |
1 |
n-канальный MOП транзистор: |
Пороговое напряжение: (0,5 ÷ 0,7) В Напряжение пробоя сток-исток: не менее 7 В Ток насыщения (375 ÷ 520) мкА/мкм Ток утечки: не более 1×10-10 А/мкм при напряжении на стоке 3,3 В |
p-канальный MOП транзистор: |
Пороговое напряжение: минус (0,5 ÷ 0,7) В Напряжение пробоя сток-исток: не более минус 7 В Ток насыщения минус (200 ÷ 330) мкА/мкм Ток утечки: не менее минус 1×10-10 при напряжении на стоке минус 3,3 В |
Диапазон рабочих температур: |
От минус 60 до 125 °С |