Поставка структур «кремний на изоляторе» диаметром 150 мм и 200 мм для изготовления СБИС, изделий МЭМС и силовой электроники

Пластины КНИ
Структуры КНИ с субмикронными слоями для изготовления СБИС

Димаетр пластин: 150 - 200 мм  
Толщина приборного слоя: 90 – 500 нм  
Толщина скрытого диэлектрика: 100 – 500 нм  
Шероховатость поверхности на участке 2х2 мкм: < 0,5 нм  

wafer 01
Структуры КНИ с микронными слоями для изготовления изделий МЭМС и силовой электроники

Димаетр пластин: 150 - 200 мм  
Толщина приборного слоя: 4 – 100 мкм  
Толщина скрытого диэлектрика: до 2,0 мкм  
Шероховатость поверхности на участке 2х2 мкм: < 0,5 нм