Пластины кремний на изоляторе НИИИС диаметром 100 мм для изготовления МЭМС устройств и изделий силовой электроники

1339ВП1Т1 01
Пластины кремний на изоляторе диаметром 100 мм

Толщина приборного слоя: 4 – 400 мкм
Отклонение толщины приборного слоя: ±1 мкм
Толщина скрытого диэлектрика: 100 – 2000 нм
Отклонение толщины по пластине от среднего значения: <5 %

1339ВП1Т 01
Пластины кремний на изоляторе диаметром 100 мм со скрытыми полостями

Толщина приборного слоя: 4 – 400 мкм
Отклонение толщины приборного слоя: ±1 мкм
Толщина скрытого диэлектрика: 100 – 2000 нм
Отклонение толщины по пластине от среднего значения: <5 %
Глубина полости: от 1 до 100 мкм.

Адрес:

Контакты: