| Толщина приборного слоя: |
4 – 100 мкм |
| Толщина скрытого диэлектрика: |
до 2,0 мкм (термический окисел) |
| Однородность толщины приборного слоя по пластине: |
±1 мкм |
| Однородность толщины скрытого диэлектрика по пластине: |
< 5% |
| Шероховатость поверхности на участке 2х2 мкм: |
< 0,5 нм |
| Светорассеивающие дефекты размером > 0,2мкм: |
< 50 шт. |
| Тип проводимости: |
P-тип (Бор), N-тип (Фосфор) |
| Кристаллографическая ориентация: |
< 100 > |
