Радиационно стойкие полупроводниковые приборы

2ПЕ104А9 01
2ПЕ117А9/Б9, 2ПЕ118А9/Б9 «Гагат»
P- и N-канальные МОП-транзисторы

Напряжение сток-исток:  + 50 В; +100 В ; + 200 В;
Напряжение затвор-исток: 15 В
Максимальный ток стока: 1.5 А
Рассеиваемая мощность: 1.5 Вт 
Температура: до +85ºС

Параметр Характеристики
Состояние разработки: В стадии выполнения.
Технология: МОП на объемном кремнии 2.0 мкм
Типономиналы: p - канальные МОП транзисторы 2ПЕ118А9, 2ПЕ118Б9
n - канальные МОП транзисторы 2ПЕ117Б9, 2ПЕ117Б9
Напряжение сток-истока, макс.: + 50 В; +100 В ; + 200 В
Напряжение затвор-исток, макс.: 15 В
Ток стока, макс.: 1.5 A
Постоянная рассеиваемая мощность, макс.: 1.5 Вт
Пороговое напряжение: от +1.0 В до +2.5 В; от -1.0 В до -2.5 В
Максимально допустимое напряжение сток-истока: 2ПЕ117А9, 2ПЕ118A9: 100 В
2ПЕ117Б9, 2ПЕ118Б9: 200 В
Пороговое напряжение: для транзисторов p- типа от -1.0 В до -2.5 В
для транзисторов n- типа от +1.0 В до +2.5 В
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии: 2ПЕ117А9, 2ПЕ118A9: 0.45 Ом
2ПЕ117Б9, 2ПЕ118A9: 0.65 Ом
Ток утечки затвора: до 200 нА
Емкость затвор-исток: 3.5 нФ
Тип корпуса: КТ 93-1, КФШЛ.432252.001ТУ
Стойкость к спецфакторам
не ниже*:		 7И1 - 0.8·5УС; 7И6 - 0.85·5УС; 7И7 - 0.9·5УС
7С1 - 97·5УС; 7С4 - 4.9·5УС
Температурный диапазон: -60ºС ... +85ºС
Максимально допустимый ток стока: 10 А
Технические условия: АЕЯР.432140.868ТУ
* приведены сниженные значения стойкости к спецфакторам. Истинные значения стойкости предоставляются по запросу
Техническое описание
Габаритный чертеж
Условное обозначение для САПР
Посадочное место для САПР
3D-модели для САПР (step, stl)
2П7260A9 01
2П7260А9, 2П7261А9, 2П7262А9, 2П7263А9 «Лира»
Мощные P- И N-канальные МОП-транзисторы

Напряжение сток-исток: от +100 В до + 200 В
Напряжение затвор-исток: 15 В
Максимальный ток стока: 10 А
Температура: до +85ºС

Параметр Характеристики
Состояние разработки: Завершена в 2017 году.
Технология: МОП на объемном кремнии 2.0 мкм
Типономиналы: p - канальные МОП транзисторы 2П7261А9, 2П7263А9
n - канальные МОП транзисторы 2П7260А9, 2П7262А9
Напряжение сток-истока, макс.:  -100 ... +50 В
Напряжение затвор-исток, макс.: 15 В
Ток стока, макс.: 10 A
Пороговое напряжение: от +1.0 В до +2.5 В; от -1.0 В до -2.5 В
Максимально допустимое напряжение сток-истока: 2П7260А9, 2П7261А9: 100
2П7262А9, 2П7263А9: 200
Максимально допустимый ток стока: 10 А
Пороговое напряжение: для транзисторов p- типа от -1.0 В до -2.5 В
для транзисторов n- типа от +1.0 В до +2.5 В
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии: 0.2 Ом
Ток утечки затвора: до 200 нА
Емкость затвор-исток: 3.5 нФ
Тип корпуса: КТ 93-1, КФШЛ.432252.001ТУ
Стойкость к спецфакторам
не ниже*:		 7И1 - 0.87·5УС; 7И6 - 0.8·5УС; 7И7 - 0.85·5УС
7С1 - 95·5УС; 7С4 - 4.9·5УС
Температурный диапазон: -60ºС ... +85ºС
Технические условия: АЕЯР.432140.704ТУ
* приведены сниженные значения стойкости к спецфакторам. Истинные значения стойкости предоставляются по запросу
Техническое описание
Габаритный чертеж
Условное обозначение для САПР
Посадочное место для САПР
3D-модели для САПР (step, stl)
2П842А 07
2П842А/А9, 2П843А/А9, 2П844А/А9 «Сила-3» 
Мощные P- и N- канальные ДМОП-транзисторы

Напряжение сток-исток: от +100 В до + 200 В
Напряжение затвор-исток: 15 В
Максимальный ток стока: 10 А
Температура: до +85ºС

Параметр Характеристики
Состояние разработки: Завершена в 2015 году.
Технология: МОП на объемном кремнии 2.0 мкм
Напряжение сток-истока, макс.: +200 ... +600 В
Напряжение затвор-исток, макс.: 20 В
Пороговое напряжение: от +1.5 В до +6.0 В
Максимально допустимое напряжение сток-истока: для транзисторов 2П842А, 2П842А9, 2П843А, 2П843А9: 200 В
для транзисторов 2П844А, 2П844А9: 600 В
Максимально допустимый ток стока: 10 А
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии: 0.4 ... 2.0 Ом
Ток утечки затвора: до 50 нА
Емкость затвор-исток: 3.5 нФ
Тип корпуса: для транзисторов 2П842А, 2П843А, 2П844А: КТ-97В, КУШР.432253.001ТУ
для транзисторов 2П842А9, 2П843А9, 2П844А9: КТ-94-1, КФШЛ.432252.001ТУ
Стойкость к спецфакторам
не ниже*:		 7И1 - 0.9·5УС; 7И6 - 0.8·5УС; 7И7 - 0.9·5УС
7С1 - 97·5УС; 7С4 - 4.95·5УС;
7К1 - 2К; 7К4 - 1К
Температурный диапазон: -60ºС ... +85ºС
Технические условия: АЕЯР.432140.629ТУ
* приведены сниженные значения стойкости к спецфакторам. Истинные значения стойкости предоставляются по запросу
Техническое описание
Габаритный чертеж
Условное обозначение для САПР
Посадочное место для САПР
3D-модели для САПР (step, stl)
КП7253А9 01
КП7253А9/Б9/В9, КП725А9/Б9/В9 «Сиэл»
Мощные P- и N- канальные МОП-транзисторы

Напряжение сток-исток: от -200 В до + 200 В
Напряжение затвор-исток: от -20 В до +20 В
Максимальный ток стока: 10-50 А
Температура: до +85ºС
Приемка «ОТК»

Параметр Характеристики
Состояние разработки: Завершена в 2013 году.
Технология: МОП на объемном кремнии 2.0 мкм
Типономиналы: n– канальные МОП транзисторы КП7253А9, КП7253Б9, КП7253В9
p– канальные МОП транзисторы КП7254А9, КП7254Б9, КП7254В9
Напряжение сток-истока, макс.: -200 ... +200 В
Напряжение затвор-исток, макс.: -20 ... +20 В
Максимально допустимое напряжение сток-исток: для n– канальных транзисторов: 100 В, 200 В
для p– канальных транзисторов: -100 В, -200 В
Максимально допустимое напряжение затвор-исток: для n– канальных транзисторов: 20 В
для p– канальных транзисторов: -20 В
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии: 0.25 Ом
Начальный ток стока: до 1 мА
Тип корпуса: КТ-94, КФШЛ.432252.001ТУ
Стойкость к спецфакторам
не ниже*:		 7И1 - 0.9·6УС; 7И6 - 0.85·6УС; 7И7 - 0.9·6УС
7С1 - 90·5УС; 7С4 - 2.3·5УС;
7К1 - 2.5·1К; 7К4 - 0.1·1К
Температурный диапазон: -60ºС ... +85ºС
Технические условия: ИГНД.432147.002ТУ
ИГНД.432147.003ТУ
ИГНД.432147.002ТУ
ИГНД.432147.003ТУ
Категория качества: приемка «ОТК»
* приведены сниженные значения стойкости к спецфакторам. Истинные значения стойкости предоставляются по запросу
Техническое описание
Габаритный чертеж
Условное обозначение для САПР
Посадочное место для САПР
3D-модели для САПР (step, stl)

Предприятие:

Адрес:

Контакты: