Состояние разработки: |
В стадии выполнения. |
Технология: |
МОП на объемном кремнии 2.0 мкм |
Типономиналы: |
p - канальные МОП транзисторы 2ПЕ118А9, 2ПЕ118Б9
n - канальные МОП транзисторы 2ПЕ117Б9, 2ПЕ117Б9 |
Напряжение сток-истока, макс.: |
+ 50 В; +100 В ; + 200 В |
Напряжение затвор-исток, макс.: |
15 В |
Ток стока, макс.: |
1.5 A |
Постоянная рассеиваемая мощность, макс.: |
1.5 Вт |
Пороговое напряжение: |
от +1.0 В до +2.5 В; от -1.0 В до -2.5 В |
Максимально допустимое напряжение сток-истока: |
2ПЕ117А9, 2ПЕ118A9: 100 В
2ПЕ117Б9, 2ПЕ118Б9: 200 В
|
Пороговое напряжение: |
для транзисторов p- типа от -1.0 В до -2.5 В
для транзисторов n- типа от +1.0 В до +2.5 В
|
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии: |
2ПЕ117А9, 2ПЕ118A9: 0.45 Ом
2ПЕ117Б9, 2ПЕ118A9: 0.65 Ом |
Ток утечки затвора: |
до 200 нА |
Емкость затвор-исток: |
3.5 нФ |
Тип корпуса: |
КТ 93-1, КФШЛ.432252.001ТУ |
Стойкость к спецфакторам не ниже*: |
7И1 - 0.8·5УС; 7И6 - 0.85·5УС; 7И7 - 0.9·5УС
7С1 - 97·5УС; 7С4 - 4.9·5УС
|
Температурный диапазон: |
-60ºС ... +85ºС |
Максимально допустимый ток стока: |
10 А |
Технические условия: |
АЕЯР.432140.868ТУ |