Разработка и освоение производства транзисторов и диодов матричного типа с повышенной надежностью и рассеиваемой мощностью на основе карбида кремния с алмазосодержащим теплоотводом / шифр "Карбид"

Комплексный проект "Карбид" реализуется за счет субсидии Министерства промышленности и торговли России и в рамках постановления Правительства Российской Федерации №1252 от 24 июля 2021 г.

Срок реализации комплексного проекта

Этап I. Создание научно-технического задела в рамках комплексного проекта с 01.11.2023 по 30.09.2028.
Этап II. Организация производства продукции и вывода на рынок c 10.01.2028 по 30.09.2030.

Электрические параметры изделий

<>1339ВП1Т1 01
Линейка матричных карбидокремниевых полевых транзисторов с алмазосодержащим теплоотводом

Максимально допустимое напряжение «сток-исток» от 2300 В
Максимально допустимый постоянный ток стока до 120 А
Предназначены для использования в качестве полностью управляемых ключей в электрических цепях силовых электронных модулей с постоянным током до 120 А

АЦП
Линейка матричных карбидокремниевый диодов Шоттки с алмазосодержащим теплоотводом

Максимальное постоянное обратное напряжение от 2300 В
Максимально допустимый постоянный прямой ток до 30 А
Предназначены для преобразования переменного тока амплитудой до 30 А в постоянный, а также стабилизации выходного напряжения величиной в устройствах электропреобразователей, накопителей энергии и источников питания

<>1339ВП1Т1 01
Полевые транзисторы с изолированным затвором в виде кристаллов на пластинах карбида кремния

Диаметр 150 мм
Предназначены для изготовления на их основе ЭКБ в корпусном и бескорпусном исполнении для использования в силовых электрических модулях

1339ВП1Т 01
Диоды Шоттки в виде кристаллов на пластинах карбида кремния

Диаметр 150 мм
Предназначены для изготовления на их основе ЭКБ в корпусном и бескорпусном исполнении для использования в силовых электрических модулях

<>1339ВП1Т1 01
Пластина карбида кремния с заказанными элементами

Предназначены для изготовления на их основе ЭКБ в корпусном и бескорпусном исполнении для использования в силовых электрических модулях

План-график реализации

Работа Годы реализации
2024 2025 2026 2027 2028 2029 - 2031
Разработка эскизной КД для изготовления тестовых образцов
до 06.2024
Изготовление пластин с кристаллами тестовых образцов
до 12.2024
Разработка эскизной КД и ТД для изготовления макетных образцов матричных транзисторов и диодов Шотки
до 06.2025
Изготовление и испытания макетных образцов матричных транзисторов и диодов Шотки
до 12.2025
Коррекция эскизной КД и ТД для изготовления макетных образцов матричных транзисторов и диодов Шотки
до 07.2026
Изготовление и испытания макетных образцов матричных транзисторов и диодов Шотки
до 12.2026
Разработка рабочих КД и ТД для изготовления опытных образцов матричных транзисторов и диодов Шотки
до 07.2027
Изготовление, проведение предварительных испытаний опытных образцов матричных транзисторов и диодов Шотки, корректировка РКД и ТД на ОО, присвоение литеры "О1"
до 12.2027
Изготовление установочной серии матричных транзисторов и диодов Шотки. Проведение приемочных испытаний. Корректировка КД и ТД
до 09.2028
Организация производства продукции и вывода на рынок
до 09.2030

Значения результатов и показатели, необходимые для достижения результата

Результат Плановые показатели, необходимые для достижения результата
с 01.10.2024 по 30.09.2025 с 01.10.2025 по 30.09.2026 с 01.10.2026 по 30.09.2027 с 01.10.2027 по 30.09.2028 с 01.10.2028 по 30.09.2029 с 01.10.2029 по 30.09.2030 Всего
Объем производства и реализации продукции, млн. руб.
000,0 000,0 000,0 061,2 256,8 818,3 1 136,3
Количество вновь создаваемых и (или) модернизируемых ВТРМ, шт.
1 2 1 0 0 0 4
Количество создаваемых РИД, ед.
0 0 2 3 0 0 5
Объем экспорта продукции, тыс. $.
000,0 000,0 000,0 000,0 000,0 100,0 100,0

Привлекаемые контрагенты

ООО «Экстрем-Карабаново»
(г. Карабаново)

СПбГЭТУ «ЛЭТИ»
(г. Санкт-Петербург)

Адрес:

Контакты: