НИИИС.микроэлектроника
Продукция ВП
Микропроцессоры и отладочные комплекты
Микросхемы памяти
Микросхемы для вторичных источников питания
Аналого-цифровые схемы
Базовые матричные кристаллы
Навигационные микросхемы ГЛОНАСС
Продукция ОТК
ШИМ-контроллеры
Драйверы
DC/DC преобразователь
Приемопередатчик RS-232
Базовый матричный кристалл
Пластины КНИ
Услуги
Фаундри
Сборка и тестирование
Измерения и испытания
Кристальное производство
Обслуживание оборудования
Проекты
Акустика
Карбид кремния
Контакты
+7(831)469-56-51
+7(930)290-21-00
+7(831)466-87-52
E-mail
Каталоги
Микросхемы и полупроводниковые приборы
Cиловая микроэлектроника
Изготовление чувствительных элементов изделий микросистемной техники на пластинах кремния
Изготовление чувствительных элементов изделий микросистемной техники на пластинах кремния диаметром 100 мм по КД заказчика
Характеристики
Изображения
Параметр
Характеристики
Проектные нормы:
≥ 2 мкм
Толщина приборного слоя:
от 30 до 360 мкм
Основные области применения изделий МСТ:
микроакселерометры;
датчики давления;
датчики угловых скоростей;
изделия магнитометрии;
микроинклинометры;
микродвигатели.
Previous
Next
Выполнение отдельных технологических операций
Химико-механическая полировка
Сращивание пластин кремния
Двухсторонняя контактная фотолитография
Характеристики
Изображения
Параметр
Характеристики
Химико-механическая полировка 100 мм пластин кремния:
Шероховатость Rq: не более 0,5 нм
Сращивание пластин кремния 100 - 150 мм:
Метод сварки: анодная сварка, прямое сращивание кремний - кремний через оксид (гидрофильное), эвтектическое сращивание золото – кремний
Двухсторонняя контактная фотолитография:
Тип фоторезиста: позитивный.
Толщина фоторезиста: от 1 до 20 мкм.
Previous
Next
Предприятие:
Филиал РФЯЦ-ВНИИЭФ
«НИИИС им. Ю.Е. Седакова»
Адрес:
г. Нижний Новгород,
ул. Тропинина, 47
Контакты:
Факс: +7 (831) 466-87-52
Телефон:
+7 (831)469-56-51
+7 (930)-290-21-00
E-mail:
info@niiis-micro.ru