Радиационно стойкие микросхемы памяти

9006РА014_01
СОЗУ МКМ 9006РА014 «Засечка-11.32»
с конфигурируемой разрядностью данных

Объем: 32 Мбит
Разрядность: 4Мx8 / 2Mx16 / 1Mx32
Цикл чтения/записи: 50/70 нс
Напряжение питания: 1.2В ± 10% / 3.3В ± 10%
Потребление: 400 мА
Температура: до +85ºС (прорабатывается увел. до +125ºС)

Параметр Характеристики
Состояние разработки: В стадии выполнения. Срок завершения ОКР 2021 г.
Разрядность: 4Мx8 / 2Mx16 / 1Mx32
Технология: КМОП КНИ 0.09 мкм
Напряжение питания ядря/периферии: 1,2 В ± 10% / 3,3 В ± 10%
Цикл чтения / записи: 50 нс / 70 нс
Время выборки: 50 нс
Ток потребления в режиме хранения: 400 мА
Динамический ток потребления: 600 мА
Защита от сбоев: DICE-ячейки, ECC (код Хэммминга), сбоеустойчивая логика, конфигурируемая разрядность данных
Тип корпуса: МК 4156.132-В, ТАСФ.301176.097ТУ
Стойкость к спецфакторам
не ниже*:		 7И1 - 0.95·5УС; 7И6 - 0.95·5УС; 7И7 - 0.38·5УС; 7И8 - 0.95·2УС
7С1 - 95·5УС; 7С4 - 1.8·5УС
7К1 – 0.95·2К; 7К4 – 0.95·1К
Температурный диапазон: -60ºС ... +85ºС (прорабатывается увел. до +125ºС)
Технические условия: АЕНВ.431220.635ТУ
* приведены сниженные значения стойкости к спецфакторам. Истинные значения стойкости предоставляются по запросу
Техническое описание
Габаритный чертеж
Условное обозначение для САПР
Посадочное место для САПР
3D-модели для САПР (step, stl)
1665РА034_01.1303
СОЗУ 1665РА034 «Засечка-11.8»
с конфигурируемой разрядностью данных

Объем: 8 Мбит
Разрядность: 1Мx8 / 512Kx16 / 256Kx32
Цикл чтения/записи: 35/50 нс
Напряжение питания: 1.2В ± 10% / 3.3В ± 10%
Потребление: 100 мА
Температура: до +85ºС (прорабатывается увел. до +125ºС)

Параметр Характеристики
Состояние разработки: В стадии выполнения. Срок завершения ОКР 2021 г.
Разрядность: 1Мx8 / 512Kx16 / 256Kx32
Технология: КМОП КНИ 0.09 мкм
Напряжение питания ядря/периферии: 1,2 В ± 10% / 3,3 В ± 10%
Цикл чтения / записи: 35 нс / 50 нс
Время выборки: 35 нс
Ток потребления в режиме хранения: 100 мА
Динамический ток потребления: 200 мА
Защита от сбоев: DICE-ячейки, ECC (код Хэммминга), сбоеустойчивая логика, конфигурируемая разрядность данных
Тип корпуса: МК 4150.72-А, ТАСФ.301176.041ТУ
Стойкость к спецфакторам
не ниже*:		 7И1 - 0.95·5УС; 7И6 - 0.95·5УС; 7И7 - 0.38·5УС; 7И8 - 0.95·2УС
7С1 - 95·5УС; 7С4 - 1.8·5УС
7К1 – 0.95·2К; 7К4 – 0.95·1К
Температурный диапазон: -60ºС ... +85ºС (прорабатывается увел. до +125ºС)
Технические условия: АЕНВ.431220.634ТУ
* приведены сниженные значения стойкости к спецфакторам. Истинные значения стойкости предоставляются по запросу
Техническое описание
Габаритный чертеж
Условное обозначение для САПР
Посадочное место для САПР
3D-модели для САПР (step, stl)
1665РУ2Т 01
СОЗУ 1665РУ2Т «Фианит»

Объем: 8 Мбит
Разрядность: 8/16 бит
Цикл чтения/записи: 35 нс
Напряжение питания: +3.3 В
Потребление: 200 мА
Температура: до +125ºС

Параметр Характеристики
Состояние разработки: завершена в 2018г.
Технология: КМОП-КНИ 0.24 мкм
Объем/разрядность: 512Кх16 (8 Мбит, 16 или 8 разрядов)
Цикл чтения: 35 нс
Цикл записи: 35 нс
Время выборки: 35 нс
Напряжение питания: +3.3 В ± 10%
Ток потребления в режиме хранения: 100 мА
Динамический ток потребления: 200 мА
Тип корпуса: МК 4150.72-А, ТАСФ.301176.041ТУ
Стойкость к спецфакторам
не ниже*:		 7И1 - 0.9·5УС; 7И6 - 0.9·5УС; 7И7 - 0.38·5УС; 7И8 - 0.9·2УС
7С1 - 90·5УС; 7С4 - 1.8·5УС
7К1 – 2К; 7К4 – 1К
7К9(7К10) – 15 МэВ; 7К11(7К12) – 3 МэВ
Температурный диапазон: -60ºС ... +125ºС
Технические условия: АЕНВ.431220.097ТУ
* приведены сниженные значения стойкости к спецфакторам. Истинные значения стойкости предоставляются по запросу
Техническое описание
Габаритный чертеж
Условное обозначение для САПР
Посадочное место для САПР
3D-модели для САПР (step, stl)
1658РУ2Т 01
СОЗУ 1658РУ2Т-01 «СОЗУ-4М»

Объем: 4 Мбит
Разрядность: 8 бит
Цикл чтения/записи: 35/50 нс
Напряжение питания: +3.3 В
Потребление: 200 мА
Температура: до +85ºС

Параметр Характеристики
Состояние разработки: завершена в 2016г.
Технология: КМОП-КНИ 0.24 мкм
Объем/разрядность: 512Кх8 (4 Мбит, 8 разрядов)
Цикл чтения: 35 нс
Цикл записи: 50 нс
Время выборки: 35 нс
Защита от сбоев: DICE-ячейки
Напряжение питания: +3.3 В ± 10%
Ток потребления в режиме хранения: 25 мА
Динамический ток потребления: 200 мА
Тип корпуса: МК 4150.72-А, ТАСФ.301176.041ТУ
Стойкость к спецфакторам
не ниже*:		 7И1 - 0.9·5УС; 7И6 - 1.85·6УС; 7И7 - 0.18·5УС; 7И8 - 1.4·4УС
7С1 - 95·5УС; 7С4 - 1.15·5УС
7.К1 – 0.5·2К; 7.К4 – 0.5·1К
7К9(7К10) – стойкая; 7К11(7К12) – 17 МэВ
Температурный диапазон: -60ºС ... +85ºС
Технические условия: АЕНВ.431220.069ТУ
* приведены сниженные значения стойкости к спецфакторам. Истинные значения стойкости предоставляются по запросу
Техническое описание
Габаритный чертеж
Условное обозначение для САПР
Посадочное место для САПР
3D-модели для САПР (step, stl)
1668РА024 01
СОЗУ 1668РА024 «Засечка-10»

Объем: 4 Мбит
Разрядность: 8 бит
Цикл чтения/записи: 35/50 нс
Напряжение питания: +3.3 В
Потребление: 200 мА
Температура: до +125ºС

Параметр Характеристики
Состояние разработки: завершена в 2018г.
Технология: КМОП-КНИ 0.24
Объем/разрядность: 512Кх8 (4 Мбит, 8 разрядов)
Цикл чтения: 35 нс
Цикл записи: 50 нс
Время выборки: 35 нс
Защита от сбоев: DICE-ячейки; ECC (код Хэмминга);
сбоеустойчивая логика; сигнал блокировки записи
Напряжение питания: +3.3 В ± 10%
Ток потребления в режиме хранения: 25 мА
Динамический ток потребления: 200 мА
Тип корпуса: МК 4150.72-А, ТАСФ.301176.041ТУ
Стойкость к спецфакторам
не ниже*:		 7И1 - 0.9·5УС; 7И6 - 0.9·5УС; 7И7 - 1.7·5УС; 7И8 - 0.85·4УС
7С1 - 9.5·5УС; 7С4 - 0.9·5УС
7К1 - 0.5·2К; 7К4 - 0.5·1К
7К9(7К10) – стойкая; 7К11(7К12) – 60 МэВ
Температурный диапазон: -60ºС ... +125ºС
Технические условия: АЕНВ.431220.311ТУ
* приведены сниженные значения стойкости к спецфакторам. Истинные значения стойкости предоставляются по запросу
Техническое описание
Габаритный чертеж
Условное обозначение для САПР
Посадочное место для САПР
3D-модели для САПР (step, stl)
1665РА024 01
СОЗУ 1665РА024 «Засечка-А1.4» 

Объем: 4 Мбит
Разрядность: 8 бит
Цикл чтения/записи: 55/55 нс
Напряжение питания: +5.0 В
Потребление: 200 мА
Температура: до +125ºС

Параметр Характеристики
Состояние разработки: Завершена в 2018г.
Объем/разрядность: 512Кх8 (4 Мбит, 8 разрядов)
Цикл чтения: 55 нс
Цикл записи: 55 нс
Время выборки: 40 нс
Защита от сбоев: ECC (код Хэмминга)
Напряжение питания: +5.0 В ± 10%
Ток потребления в режиме хранения: 25 мА
Динамический ток потребления: 200 мА
Тип корпуса: МК 4150.72-А, ТАСФ.301176.041ТУ
Стойкость к спецфакторам
не ниже*:		 7И1 - 0.9·5УС; 7И6 - 0.9·5УС; 7И7 - 0.38·5УС; 7И8 - 0.85·3УС
7С1 - 9·5УС; 7С4 - 0.9·5УС
7К1 - 2К; 7К4 - 1К
Температурный диапазон: -60ºС ... +125ºС
Технические условия: АЕНВ.431220.377ТУ
* приведены сниженные значения стойкости к спецфакторам. Истинные значения стойкости предоставляются по запросу
Техническое описание
Габаритный чертеж
Условное обозначение для САПР
Посадочное место для САПР
3D-модели для САПР (step, stl)
1665РА014 01
СОЗУ 1665РА014 «Засечка-А1.1»

Объем: 1 Мбит
Разрядность: 8 бит
Цикл чтения/записи: 50/50 нс
Напряжение питания: +5.0 В
Потребление: 200 мА
Температура: до +125ºС

Параметр Характеристики
Состояние разработки: Завершена в 2018г.
Технология: КМОП-КНИ 0.18
Объем/разрядность: 128Кх8 (1 Мбит, 8 разрядов)
Цикл чтения: 50 нс
Цикл записи: 50 нс
Время выборки: 35 нс
Защита от сбоев: ECC (код Хэмминга)
Напряжение питания: +5.0 В ± 10%
Ток потребления в режиме хранения: 25 мА
Динамический ток потребления: 200 мА
Тип корпуса: МК 4150.72-А, ТАСФ.301176.041ТУ
Стойкость к спецфакторам
не ниже*:		 7И1 - 2.7·5УС; 7И6 - 0.85·6УС; 7И7 - 0.9·6УС; 7И8 - 0.9·4УС
7С1 - 9·5УС; 7С4 - 0.9·5УС
7К1 - 2К; 7К4 - 1К
Температурный диапазон: -60ºС ... +125ºС
Технические условия: АЕНВ.431220.376ТУ
* приведены сниженные значения стойкости к спецфакторам. Истинные значения стойкости предоставляются по запросу
Техническое описание
Габаритный чертеж
Условное обозначение для САПР
Посадочное место для САПР
3D-модели для САПР (step, stl)
1665РУ1У 01
СОЗУ 1665РУ1У «Засечка-4»

Объем: 1 Мбит
Разрядность: 8 бит
Цикл чтения/записи: 35/50 нс
Напряжение питания: +3.3 В
Потребление: 40 мА
Температура: до +85ºС

Параметр Характеристики
Состояние разработки: Завершена в 2014г.
Технология: КМОП-КНИ 0.24 мкм
Объем/разрядность: 128Кх8 (1 Мбит, 8 разрядов)
Цикл чтения: 35 нс
Цикл записи: 50 нс
Время выборки: 35 нс
Напряжение питания: +3.3 В ± 10%
Ток потребления в режиме хранения: 5 мА
Динамический ток потребления: 40 мА
Тип корпуса: Н18.64-2В, УФ0.481.005ТУ
Стойкость к спецфакторам
не ниже*:		 7И1 - 0.9·6УС; 7И6 - 0.85·6УС; 7И7 - 0.1·6УС; 7И8 - 0.1·4УС
7С1 - 95·5УС; 7С4 - 0.9·5УС
7К1 -0.5·2К; 7К4 - 0.5·1К
Температурный диапазон: -60ºС ... +85ºС
Технические условия: АЕЯР.431220.934ТУ
* приведены сниженные значения стойкости к спецфакторам. Истинные значения стойкости предоставляются по запросу
Техническое описание
Габаритный чертеж
Условное обозначение для САПР
Посадочное место для САПР
3D-модели для САПР (step, stl)
1620РУ11У 01
СОЗУ 1620РУ11У «Рывок-ОЗУ»

Объем: 1 Мбит
Разрядность: 8 бит
Цикл чтения/записи: 60/80 нс
Напряжение питания: +3.3 В
Потребление: 40 мА
Температура: до +85ºС

Параметр Характеристики
Состояние разработки: Завершена в 2013г.
Технология: КМОП-КНИ 0.24 мкм
Объем/разрядность: 128Кх8 (1 Мбит, 8 разрядов)
Цикл чтения: 60 нс
Цикл записи: 80 нс
Время выборки: 60 нс
Напряжение питания: +3.3 В ± 10%
Ток потребления в режиме хранения: 5 мА
Динамический ток потребления: 40 мА
Тип корпуса: Н18.64-2В, УФ0.481.005ТУ
Стойкость к спецфакторам
не ниже*:		 7И1 - 0.55·6УС; 7И6 - 0.95·6УС; 7И7 - 0.1·6УС; 7И8 - 0.9·4УС
7С1 - 285·5УС; 7С4 - 0.7·5УС
7К1 - 8·1К; 7К4 - 0.4·1К
Температурный диапазон: -60ºС ... +85ºС
Технические условия: АЕЯР.431220.803ТУ
* приведены сниженные значения стойкости к спецфакторам. Истинные значения стойкости предоставляются по запросу
Техническое описание
Габаритный чертеж
Условное обозначение для САПР
Посадочное место для САПР
3D-модели для САПР (step, stl)
1658РУ1У 01
СОЗУ 1658РУ1У «Защита»

Объем: 64 кбит
Разрядность: 8 бит
Цикл чтения/записи: 70/70 нс
Напряжение питания: +3.3 В
Потребление: 40 мА
Температура: до +85ºС

Параметр Характеристики
Состояние разработки: Завершена в 2016г.
Технология: КМОП-КНИ 0.35 мкм
Объем/разрядность: 8Кх8 (64 КБит, 8 разрядов)
Цикл чтения: 70 нс
Цикл записи: 70 нс
Время выборки: 50 нс
Аппаратная защита от сбоев: ECC (Хэмминг)
Напряжение питания: +3.3 В ± 10%
Ток потребления в режиме хранения: 5 мА
Динамический ток потребления: 40 мА
Тип корпуса: 5134.64-6, УФ0.481.005ТУ
Стойкость к спецфакторам
не ниже*:		 7И1 - 0.95·6УС; 7И6 - 0.95·6УС; 7И7 - 0.96·6УС; 7И8 - 1.6·2УС
7С1 - 95·5УС; 7С4 - 9.5·5УС
Температурный диапазон: -60ºС ... +85ºС
Технические условия: АЕЯР.431220.825ТУ
* приведены сниженные значения стойкости к спецфакторам. Истинные значения стойкости предоставляются по запросу
Техническое описание
Габаритный чертеж
Условное обозначение для САПР
Посадочное место для САПР
3D-модели для САПР (step, stl)
1620РУ10АУ 01
СОЗУ 1620РУ10АУ/БУ «База-Память»* 
* требуется восстановление производства. Рекомендуется замена на СОЗУ 1665РУ1 или более современные микросхемы НИИИС

Объем/разрядность: 512 КБит/8 бит  
Цикл чтения/записи: 60/80 нс
Напряжение питания/потребление: +3.3 В / 40 мА
Температура: до +85ºС

Параметр Характеристики
Состояние разработки*: Завершена в 2010г.
Технология: КМОП-КНИ 0.5 мкм
Объем/разрядность: 64Кх8 (512 КБит, 8 разрядов)
Цикл чтения: 60 нс
Цикл записи: 60 нс
Время выборки: 50 нс
Напряжение питания: +3.3 В ± 10%
Ток потребления в режиме хранения: 1 мА
Динамический ток потребления: 40 мА
Тип корпуса: 5134.64-6, УФ0.481.005ТУ
Стойкость к спецфакторам
не ниже*:		 7И1 - 0.9·5УС; 7И6 - 0.95·5УС; 7И7 - 0.23·5УС; 7И8 - 1.2·5УС
7С1 - 90·5УС; 7С4 - 1.2·5УС
Температурный диапазон: -60ºС ... +85ºС
Технические условия: АЕЯР.431220.564ТУ
* приведены сниженные значения стойкости к спецфакторам. Истинные значения стойкости предоставляются по запросу
Техническое описание
Габаритный чертеж
Условное обозначение для САПР
Посадочное место для САПР
3D-модели для САПР (step, stl)
1620РУ6УНИ 01
СОЗУ 1620РУ6УНИ «Сапфир-ОЗУ»

 Объем/разрядность: 2 Кбит/4 бит
Напряжение питания: от 4.5 до 7.5 В 
Потребление: 15 мА
Температура: от -60ºС до +85ºС

Параметр Характеристики
Состояние разработки: Завершена в 2012 г.
Технология: КМОП КНС 2.5 мкм
Объем/разрядность: 512х4 (2 Кбит, 4 разряда)
Цикл чтения: 850 нс (после СВВ)
Цикл записи: 850 нс (после СВВ)
Время выборки: 300 нс (после СВВ)
Напряжение питания: от 4.5 В до 7.5 В
Ток потребления в режиме хранения: 8 мА (после СВВ)
Динамический ток потребления: 15 мА (на частоте 1 МГц)
Тип корпуса: Н14.42-1В, УФ0.481.005ТУ
Бескорпусное исполнение: модификация «Н2»
Стойкость к спецфакторам
не ниже*:		 7И1 - 0.9·6УС; 7И6 - 2.4·6УС; 7И7 - 0.95·6УС; 7И8 - 1.6·2УС
7С1 - 95·5УС; 7С4 - 9·5УС
7К1 - 2.5·2К; 7К4 0.5·1К
Температурный диапазон: от -60ºС до +85ºС
Технические условия: АЕЯР.431220.322ТУ / АЕЯР.431220.866ТУ
* приведены сниженные значения стойкости к спецфакторам. Истинные значения стойкости предоставляются по запросу
Техническое описание
Габаритный чертеж
Условное обозначение для САПР
Посадочное место для САПР
3D-модели для САПР (step, stl)


Радиационно стойкие микросхемы масочного ПЗУ

1665РЕ2У 01
МПЗУ 1665РЕ2У «Засечка-2.16»

Объем: 16 Мбит
Разрядность: 32 бит
Цикл чтения/записи: 60/60 нс
Напряжение питания: +3.3 В 
Потребление: 50 мА
Температура: до +85ºС

Параметр Характеристики
Состояние разработки: Завершена в 2016г.
Технология: КМОП-КНИ 0.24 мкм
Объем/разрядность: 512Кх32 (16 МБит, 32 разряда)
Цикл чтения: 60 нс (после СВВ)
Время выборки: 60 нс
Напряжение питания: +3.3 В ± 10%
Ток потребления в режиме хранения: 10 мА
Динамический ток потребления: 50 мА
Тип корпуса: 5134.64-6, УФ0.481.005ТУ
Стойкость к спецфакторам
не ниже*:		 7И1 - 0.9·6УС; 7И6 - 0.95·6УС 7И7 - 0.24·6УС
7С1 - 490·5УС; 7С4 - 2.45·5УС
7К1 - 2К; 7К4 - 1К
Температурный диапазон: -60ºС ... +85ºС
Технические условия: АЕНВ.431210.008ТУ
* приведены сниженные значения стойкости к спецфакторам. Истинные значения стойкости предоставляются по запросу
Техническое описание
Габаритный чертеж
Условное обозначение для САПР
Посадочное место для САПР
3D-модели для САПР (step, stl)
1665РЕ1У 01
МПЗУ 1665РЕ1У «Засечка-2.8»

Объем: 8 Мбит
Разрядность: 32 бит
Цикл чтения/записи: 40/40 нс
Напряжение питания: +3.3 В 
Потребление: 50 мА
Температура: до +85ºС

Параметр Характеристики
Состояние разработки: Завершена в 2016г.
Технология: КМОП-КНИ 0.24 мкм
Объем/разрядность: 256Кх32 (8 МБит, 32 разряда)
Цикл чтения: 40 нс (после СВВ)
Время выборки: 40 нс
Напряжение питания: +3.3 В ± 10%
Ток потребления в режиме хранения: 10 мА
Динамический ток потребления: 50 мА
Тип корпуса: 5134.64-6, УФ0.481.005ТУ
Стойкость к спецфакторам
не ниже*:		 7И1 - 0.95·6УС; 7И6 - 0.9·6УС; 7И7 - 0.28·6УС 7И8 - 0.85·5УС
7С1 - 495·5УС; 7С4 - 2.45·5УС
7К1 - 2К; 7К4 - 1К
Температурный диапазон: -60ºС ... +85ºС
Технические условия: АЕНВ.431210.007ТУ
* приведены сниженные значения стойкости к спецфакторам. Истинные значения стойкости предоставляются по запросу
Техническое описание
Габаритный чертеж
Условное обозначение для САПР
Посадочное место для САПР
3D-модели для САПР (step, stl)
1620РЕ4У 01
МПЗУ 1620РЕ4У* «Память»

* требуется возобновление производства. Рекомендуется применять более современные микросхемы НИИИС.
Объем: 2 Мбит
Напряжение питания: +3.3 В 
Потребление: 50 мА
Температура: до +85ºС

Параметр Характеристики
Состояние разработки*: Завершена в 2010г
Технология: КМОП-КНИ 0.5 мкм
Объем/разрядность: 64Кх32 (2 Мбит, 32 разряда)
Цикл чтения: 40 нс
Время выборки: 40 нс
Напряжение питания: +3.3 В ± 10%
Ток потребления в режиме хранения: 1 мА
Динамический ток потребления: 50 мА
Тип корпуса: 5134.64-6, УФ0.481.005ТУ
Стойкость к спецфакторам
не ниже*:		 7И1 - 0.85·5УС; 7И6 - 0.95·5УС; 7И7 - 0.35·5УС 7И8 - 0.85·2УС;
7С1 - 95·5УС; 7С4 - 1.9·5УС
Температурный диапазон: -60ºС ... +85ºС
Технические условия: АЕЯР.431210.565ТУ
* приведены сниженные значения стойкости к спецфакторам. Истинные значения стойкости предоставляются по запросу
Техническое описание
Габаритный чертеж
Условное обозначение для САПР
Посадочное место для САПР
3D-модели для САПР (step, stl)

Предприятие:

Адрес:

Контакты: