Радиационно стойкие микросхемы памяти

9006РА014_01
СОЗУ МКМ 9006РА014 «Засечка-11.32»
с конфигурируемой разрядностью данных

Объем: 32 Мбит
Разрядность: 4Мx8 / 2Mx16 / 1Mx32
Цикл чтения/записи: 50/70 нс
Напряжение питания: 1.2В ± 10% / 3.3В ± 10%
Потребление: 400 мА
Температура: до +85ºС (прорабатывается увел. до +125ºС)

1665РА034_01.1303
СОЗУ 1665РА034 «Засечка-11.8»
с конфигурируемой разрядностью данных

Объем: 8 Мбит
Разрядность: 1Мx8 / 512Kx16 / 256Kx32
Цикл чтения/записи: 35/50 нс
Напряжение питания: 1.2В ± 10% / 3.3В ± 10%
Потребление: 100 мА
Температура: до +85ºС (прорабатывается увел. до +125ºС)

1665РУ2Т 01
СОЗУ 1665РУ2Т «Фианит»

Объем: 8 Мбит
Разрядность: 8/16 бит
Цикл чтения/записи: 35 нс
Напряжение питания: +3.3 В
Потребление: 200 мА
Температура: до +125ºС

1658РУ2Т 01
СОЗУ 1658РУ2Т-01 «СОЗУ-4М»

Объем: 4 Мбит
Разрядность: 8 бит
Цикл чтения/записи: 35/50 нс
Напряжение питания: +3.3 В
Потребление: 200 мА
Температура: до +85ºС

1668РА024 01
СОЗУ 1668РА024 «Засечка-10»

Объем: 4 Мбит
Разрядность: 8 бит
Цикл чтения/записи: 35/50 нс
Напряжение питания: +3.3 В
Потребление: 200 мА
Температура: до +125ºС

1665РА024 01
СОЗУ 1665РА024 «Засечка-А1.4» 

Объем: 4 Мбит
Разрядность: 8 бит
Цикл чтения/записи: 55/55 нс
Напряжение питания: +5.0 В
Потребление: 200 мА
Температура: до +125ºС

1665РА014 01
СОЗУ 1665РА014 «Засечка-А1.1»

Объем: 1 Мбит
Разрядность: 8 бит
Цикл чтения/записи: 50/50 нс
Напряжение питания: +5.0 В
Потребление: 200 мА
Температура: до +125ºС

1665РУ1У 01
СОЗУ 1665РУ1У «Засечка-4»

Объем: 1 Мбит
Разрядность: 8 бит
Цикл чтения/записи: 35/50 нс
Напряжение питания: +3.3 В
Потребление: 40 мА
Температура: до +85ºС

1620РУ11У 01
СОЗУ 1620РУ11У «Рывок-ОЗУ»

Объем: 1 Мбит
Разрядность: 8 бит
Цикл чтения/записи: 60/80 нс
Напряжение питания: +3.3 В
Потребление: 40 мА
Температура: до +85ºС

1658РУ1У 01
СОЗУ 1658РУ1У «Защита»

Объем: 64 кбит
Разрядность: 8 бит
Цикл чтения/записи: 70/70 нс
Напряжение питания: +3.3 В
Потребление: 40 мА
Температура: до +85ºС

1620РУ10АУ 01
СОЗУ 1620РУ10АУ/БУ «База-Память»* 
* требуется восстановление производства. Рекомендуется замена на СОЗУ 1665РУ1 или более современные микросхемы НИИИС

Объем/разрядность: 512 КБит/8 бит  
Цикл чтения/записи: 60/80 нс
Напряжение питания/потребление: +3.3 В / 40 мА
Температура: до +85ºС

1620РУ6УНИ 01
СОЗУ 1620РУ6УНИ «Сапфир-ОЗУ»

 Объем/разрядность: 2 Кбит/4 бит
Напряжение питания: от 4.5 до 7.5 В 
Потребление: 15 мА
Температура: от -60ºС до +85ºС


Радиационно стойкие микросхемы масочного ПЗУ

1665РЕ2У 01
МПЗУ 1665РЕ2У «Засечка-2.16»

Объем: 16 Мбит
Разрядность: 32 бит
Цикл чтения/записи: 60/60 нс
Напряжение питания: +3.3 В 
Потребление: 50 мА
Температура: до +85ºС

1665РЕ1У 01
МПЗУ 1665РЕ1У «Засечка-2.8»

Объем: 8 Мбит
Разрядность: 32 бит
Цикл чтения/записи: 40/40 нс
Напряжение питания: +3.3 В 
Потребление: 50 мА
Температура: до +85ºС

1620РЕ4У 01
МПЗУ 1620РЕ4У* «Память»

* требуется возобновление производства. Рекомендуется применять более современные микросхемы НИИИС.
Объем: 2 Мбит
Напряжение питания: +3.3 В 
Потребление: 50 мА
Температура: до +85ºС

Адрес:

Контакты: