Радиационно стойкие микросхемы памяти


Радиационно стойкие СОЗУ

9006РА014_01
9006РА014
СОЗУ МКМ 32 Мбит с конфигурируемой разрядностью данных

Сбоеустойчивость: ECC
Разрядность: 4Мx8 / 2Mx16 / 1Mx32
Цикл чтения/записи: 50/70 нс
Напряжение питания: 3,3В
Потребление: 480 мА
Доступна поставка с приёмкой ОТК

Параметр Характеристики
Состояние разработки: ОКР завершена (Литера «О»)
Разрядность: 4Мx8 / 2Mx16 / 1Mx32
Технология: КМОП КНИ, 0,09 мкм
Напряжение питания ядря/периферии: 3,3 В ± 10%
Цикл чтения / записи: 50 нс / 70 нс
Время выборки: 50 нс
Ток потребления в режиме хранения: 480 мА
Динамический ток потребления: 600 мА
Защита от сбоев: ECC (код Хэммминга), конфигурируемая разрядность данных
Тип корпуса: МК 4156.132-В, ТАСФ.301176.097ТУ
Стойкость к спецфакторам 7И1, 7И6, 7И7, 7И8, 7С1, 7С4, 7К1, 7К4: повышенная
Технические условия: АЕНВ.431220.635ТУ
Техническое описание
Габаритный чертеж
3D-модели для САПР (step, stl)
1665РА034_01.1303
1665РА034
СОЗУ 8 Мбит с конфигурируемой разрядностью данных

Сбоеустойчивость: ECC
Разрядность: 1Мx8 / 512Kx16 / 256Kx32
Цикл чтения/записи: 35/50 нс
Напряжение питания: 3,3В
Потребление: 120 мА
Доступна поставка с приёмкой ОТК

Параметр Характеристики
Состояние разработки: ОКР завершена (Литера «О»)
Разрядность: 1Мx8 / 512Kx16 / 256Kx32
Технология: КМОП КНИ, 0.09 мкм
Напряжение питания ядря/периферии: 3,3 В ± 10%
Цикл чтения / записи: 35 нс / 50 нс
Время выборки: 35 нс
Ток потребления в режиме хранения: 120 мА
Динамический ток потребления: 200 мА
Защита от сбоев: ECC (код Хэммминга), конфигурируемая разрядность данных
Тип корпуса: МК 4150.72-А, ТАСФ.301176.041ТУ
Стойкость к спецфакторам 7И1, 7И6, 7И7, 7И8, 7С1, 7С4, 7К1, 7К4: повышенная
Технические условия: АЕНВ.431220.634ТУ
Техническое описание
Габаритный чертеж
3D-модели для САПР (step, stl)
1665РУ2Т 01
1665РУ2Т
СОЗУ 8 Мбит

Разрядность: 8/16 бит
Цикл чтения/записи: 35 нс
Напряжение питания: 3,3 В
Потребление: 200 мА
Доступна поставка с приёмкой ОТК

Параметр Характеристики
Состояние разработки: ОКР завершена. Микросхема поставляется с Литерой «А»
Технология: КМОП-КНИ 0.24 мкм
Объем/разрядность: 512Кх16 (8 Мбит, 16 или 8 разрядов)
Цикл чтения: 35 нс
Цикл записи: 35 нс
Время выборки: 35 нс
Напряжение питания: 3.3 В ± 10%
Ток потребления в режиме хранения: 100 мА
Динамический ток потребления: 200 мА
Тип корпуса: МК 4150.72-А, ТАСФ.301176.041ТУ
Стойкость к спецфакторам: 7И1 - 5Ус,
7И6 - 5Ус,
7И7 - 0,4x5Ус,
7И8 - 2Ус,
7С1 - 100x5Ус,
7С4 - 2x5Ус,
7К1 - 2К,
7К4 - 1К,
7К9 (7К10) - ОРЭ ТЭ и КО: стойкая, ОРЭ ОС: 15 МэВ (пороговые ЛПЭ), 4x10 -14см 2/бит (сечение насыщения),
7К11 (7К12) - ОРЭ ТЭ и КО: 94 МэВ∙см 2/мг (пороговые ЛПЭ), 5,8x10 -8см 2(сечение насыщения), ОРЭ ОС: 3 МэВ∙см 2/мг (пороговые ЛПЭ), 4x10 -8 см 2/бит (сечение ОС)
Технические условия: АЕНВ.431220.097ТУ
Наличие в межотраслевых ограничительных перечнях: есть
Техническое описание
Габаритный чертеж
Условное обозначение для САПР
3D-модели для САПР (step, stl)
1658РУ2Т 01
1658РУ2Т-01 СОЗУ 4 Мбит

Сбоеустойчивость: DICE
Разрядность: 8 бит
Цикл чтения/записи: 35/50 нс
Напряжение питания: 3,3 В
Потребление: 200 мА
Доступна поставка с приёмкой ОТК

Параметр Характеристики
Состояние разработки: ОКР завершена (Литера «О»)
Технология: КМОП КНИ, 0.24 мкм
Объем/разрядность: 512Кх8 (4 Мбит, 8 разрядов)
Цикл чтения: 35 нс
Цикл записи: 50 нс
Время выборки: 35 нс
Защита от сбоев: DICE-ячейки
Напряжение питания: +3.3 В ± 10%
Ток потребления в режиме хранения: 25 мА
Динамический ток потребления: 200 мА
Тип корпуса: МК 4150.72-А, ТАСФ.301176.041ТУ
Стойкость к спецфакторам 7И1, 7И6, 7И7, 7И8, 7С1, 7С4, 7К1, 7К4, 7К9 (7К10), 7К11 (7К12): повышенная
Технические условия: АЕНВ.431220.069ТУ
Техническое описание
Габаритный чертеж
Условное обозначение для САПР
3D-модели для САПР (step, stl)
1668РА024 01
1668РА024
СОЗУ 4 Мбит с защитой от сбоев

Сбоестойчивость: DICE, ECC, сигнал блокировки записи
Разрядность: 8 бит
Цикл чтения/записи: 35/50 нс
Напряжение питания: 3,3 В
Потребление: 200 мА
Доступна поставка с приёмкой ОТК

Параметр Характеристики
Состояние разработки: ОКР завершена. Микросхема поставляется с Литерой «А»
Технология: КМОП КНИ, 0.24 мкм
Объем/разрядность: 512Кх8 (4 Мбит, 8 разрядов)
Цикл чтения: 35 нс
Цикл записи: 50 нс
Время выборки: 35 нс
Защита от сбоев: DICE-ячейки; ECC (код Хэмминга);
сигнал блокировки записи
Напряжение питания: 3,3 В ± 10%
Ток потребления в режиме хранения: 25 мА
Динамический ток потребления: 200 мА
Тип корпуса: МК 4150.72-А, ТАСФ.301176.041ТУ
Стойкость к спецфакторам: 7И1 - 5Ус,
7И6 - 5Ус,
7И7 - 0,4x5Ус,
7И8 - 4Ус,
7С1 - 10x5Ус,
7С4 - 2x5Ус,
7К1 - 2К,
7К4 - 1К,
7К9 (7К10) - ОРЭ ТЭ и КО: стойкая, ОРЭ ОС: стойкая,
7К11 (7К12) - ОРЭ ТЭ и КО: 60 МэВ∙см 2/мг (пороговые ЛПЭ), 4,9x10 -8см 2(сечение ОРЭ отказов), ОРЭ ОС: 60 МэВ∙см 2/мг (пороговые ЛПЭ), 1,2x10 -14 см 2/бит (сечение ОС)
Технические условия: АЕНВ.431220.311ТУ
Наличие в межотраслевых ограничительных перечнях: есть
Техническое описание
Габаритный чертеж
Условное обозначение для САПР
3D-модели для САПР (step, stl)
1665РА024 01
1665РА024
СОЗУ 4 Мбит

Сбоеустойчивость: ECC
Разрядность: 8 бит
Цикл чтения/записи: 55/55 нс
Напряжение питания: 5 В
Потребление: 200 мА
Доступна поставка с приёмкой ОТК

Параметр Характеристики
Состояние разработки: ОКР завершена (Литера «О»)
Объем/разрядность: 512Кх8 (4 Мбит, 8 разрядов)
Цикл чтения: 55 нс
Цикл записи: 55 нс
Время выборки: 40 нс
Защита от сбоев: ECC (код Хэмминга)
Напряжение питания: 5,0 В ± 10%
Ток потребления в режиме хранения: 25 мА
Динамический ток потребления: 200 мА
Тип корпуса: МК 4150.72-А, ТАСФ.301176.041ТУ
Стойкость к спецфакторам 7И1, 7И6, 7И7, 7И8, 7С1, 7С4, 7К1, 7К4: повышенная
Технические условия: АЕНВ.431220.377ТУ
Техническое описание
Габаритный чертеж
Условное обозначение для САПР
3D-модели для САПР (step, stl)
1665РА014 01
1665РА014
СОЗУ 1 Мбит

Сбоеустойчивость: ECC
Разрядность: 8 бит
Цикл чтения/записи: 50/50 нс
Напряжение питания: 5 В
Потребление: 200 мА
Доступна поставка с приёмкой ОТК

Параметр Характеристики
Состояние разработки: ОКР завершена (Литера «О»)
Технология: КМОП КНИ, 0.18 мкм
Объем/разрядность: 128Кх8 (1 Мбит, 8 разрядов)
Цикл чтения: 50 нс
Цикл записи: 50 нс
Время выборки: 35 нс
Защита от сбоев: ECC (код Хэмминга)
Напряжение питания: 5,0 В ± 10%
Ток потребления в режиме хранения: 25 мА
Динамический ток потребления: 200 мА
Тип корпуса: МК 4150.72-А, ТАСФ.301176.041ТУ
Стойкость к спецфакторам 7И1, 7И6, 7И7, 7И8, 7С1, 7С4, 7К1, 7К4: повышенная
Технические условия: АЕНВ.431220.376ТУ
Техническое описание
Габаритный чертеж
Условное обозначение для САПР
3D-модели для САПР (step, stl)
1665РУ1У 01
1665РУ1У
СОЗУ 1 Мбит

Разрядность: 8 бит
Цикл чтения/записи: 35/50 нс
Напряжение питания: 3,3 В
Потребление: 40 мА
Доступна поставка с приёмкой ОТК

Параметр Характеристики
Состояние разработки: ОКР завершена. Микросхема поставляется с Литерой «А»
Технология: КМОП КНИ, 0.24 мкм
Объем/разрядность: 128Кх8 (1 Мбит, 8 разрядов)
Цикл чтения: 35 нс
Цикл записи: 50 нс
Время выборки: 35 нс
Напряжение питания: 3,3 В ± 10%
Ток потребления в режиме хранения: 5 мА
Динамический ток потребления: 40 мА
Тип корпуса: Н18.64-2В, УФ0.481.005ТУ
Стойкость к спецфакторам: 7И1 - 6Ус,
7И6 - 6Ус,
7И7 - 0,1x6Ус,
7И8 - 0,1x4Ус,
7С1 - 100x5Ус,
7С4 - 5Ус,
7К1 - 0,5x2К,
7К4 - 0,5x1К,
7К1 и 7К8 - 0,4x1К (5 мА),
7К1 и 7К8 - 0,9x1К (30 мА)
Технические условия: АЕЯР.431220.934ТУ
Наличие в межотраслевых ограничительных перечнях: есть
Техническое описание
Габаритный чертеж
Условное обозначение для САПР
3D-модели для САПР (step, stl)
1620РУ11У 01
1620РУ11У
СОЗУ 1 Мбит

Разрядность: 8 бит
Цикл чтения/записи: 60/80 нс
Напряжение питания: 3,3 В
Потребление: 40 мА
Доступна поставка с приёмкой ОТК

Параметр Характеристики
Состояние разработки: ОКР завершена (Литера «О»)
Технология: КМОП КНИ, 0.24 мкм
Объем/разрядность: 128Кх8 (1 Мбит, 8 разрядов)
Цикл чтения: 60 нс
Цикл записи: 80 нс
Время выборки: 60 нс
Напряжение питания: 3,3 В ± 10%
Ток потребления в режиме хранения: 5 мА
Динамический ток потребления: 40 мА
Тип корпуса: Н18.64-2В, УФ0.481.005ТУ
Стойкость к спецфакторам 7И1, 7И6, 7И7, 7И8, 7С1, 7С4, 7К1, 7К4: экстремальная
Технические условия: АЕЯР.431220.803ТУ
Техническое описание
Габаритный чертеж
Условное обозначение для САПР
3D-модели для САПР (step, stl)
1658РУ1У 01
1658РУ1У
СОЗУ 64 Кбит с защитой от сбоев

Сбоеустойчивость: ECC, RC, сигнал блокировки записи
Разрядность: 8 бит
Цикл чтения/записи: 70/70 нс
Напряжение питания: 3,3 В
Потребление: 40 мА
Доступна поставка с приёмкой ОТК

Параметр Характеристики
Состояние разработки: ОКР завершена. Микросхема поставляется с Литерой «А»
Технология: КМОП КНИ, 0.35 мкм
Объем/разрядность: 8Кх8 (64 Кбит, 8 разрядов)
Цикл чтения: 70 нс
Цикл записи: 70 нс
Время выборки: 50 нс
Защита от сбоев: ECC (Хэмминг), 10-транзисторная ячейка памяти с RC цепочкой, сигнал блокировки записи
Напряжение питания: 3,3 В ± 10%
Ток потребления в режиме хранения: 5 мА
Динамический ток потребления: 40 мА
Тип корпуса: 5134.64-6, УФ0.481.005ТУ
Стойкость к спецфакторам: 7И1 - 6Ус,
7И6 - 6Ус,
7И7 - 6Ус,
7И8 - 4Ус (в режимах записи и считывания), 6Ус (в режимах хранения и блокировки),
7И12 - 1,3x3Р,
7И13 - 0,1x3Р,
7С1 - 100x5Ус,
7С4 - 10x5Ус,
7К1 - 0,5x1К,
7К4 - 2К,
7К9 (7К10) - ОРЭ ТЭ и КО: стойкая, ОРЭ ОС: стойкая,
7К11 (7К12) - ОРЭ ТЭ и КО: 69 МэВ∙см 2/мг (пороговые ЛПЭ), 1,1x10 -7см 2(сечение ОРЭ отказов), 2x10 -1 см 2 (сечение насыщения), ОРЭ ОС: 69 МэВ∙см 2/мг (пороговые ЛПЭ), 1,7x10 -12 см 2/бит (сечение насышения)
Технические условия: АЕЯР.431220.825ТУ
Наличие в межотраслевых ограничительных перечнях: есть
Техническое описание
Габаритный чертеж
Условное обозначение для САПР
3D-модели для САПР (step, stl)
1620РУ10АУ 01
1620РУ10АУ/БУ СОЗУ 512 Кбит *
* требуется восстановление производства. Рекомендуется замена на СОЗУ 1665РУ1У или более современные микросхемы НИИИС

Разрядность 8 бит
Цикл чтения/записи 60/80 нс
Напряжение питания 3,3 В
Потребление 40 мА
Доступна поставка с приёмкой ОТК

Параметр Характеристики
Состояние разработки: ОКР завершена (Литера «О»)
Технология: КМОП КНИ, 0.5 мкм
Объем/разрядность: 64Кх8 (512 Кбит, 8 разрядов)
Цикл чтения: 60 нс
Цикл записи: 60 нс
Время выборки: 50 нс
Напряжение питания: 3,3 В ± 10%
Ток потребления в режиме хранения: 1 мА
Динамический ток потребления: 40 мА
Тип корпуса: 5134.64-6, УФ0.481.005ТУ
Стойкость к спецфакторам 7И1, 7И6, 7И7, 7И8, 7С1, 7С4: повышенная
Технические условия: АЕЯР.431220.564ТУ
Техническое описание
Габаритный чертеж
Условное обозначение для САПР
3D-модели для САПР (step, stl)
1620РУ6УНИ 01
1620РУ6УНИ
СОЗУ 2 Кбит с защитой от сбоев

Разрядность 4 бит
Цикл чтения/записи 850/850 нс
Напряжение питания от 4,5 до 7,5 В
Потребление 15 мА
Доступна поставка с приёмкой ОТК

Параметр Характеристики
Состояние разработки: ОКР завершена. Микросхема поставляется с Литерой «А»
Технология: КМОП КНС 2.5 мкм
Объем/разрядность: 512х4 (2 Кбит, 4 разряда)
Цикл чтения: 850 нс
Цикл записи: 850 нс
Время выборки: 300 нс
Защита от сбоев: 10-транзисторная ячейка памяти с RC цепочкой
Напряжение питания: от 4,5 В до 7,5 В
Ток потребления в режиме хранения: 8 мА
Динамический ток потребления: 15 мА (на частоте 1 МГц)
Тип корпуса: Н14.42-1В, УФ0.481.005ТУ
Бескорпусное исполнение: модификация «Н2»
Стойкость к спецфакторам: 7И1 - 6Ус,
7И4 - 6Ус,
7И6 - 2,5x6Ус,
7И7 - 6Ус,
7И8 - 6 Ус (в режимах записи и считывания), 3Ус (в режимах хранения и блокировки),
7И12 - 0,3x4Р,
7И13 - 0,072x5Р,
7С1 - 100x5Ус,
7С3 - 100x5Ус,
7С4 - 10x5Ус,
7С5 - 10x5Ус,
7К1 и 7К3 - 2,5x1К,
7К4 и 7К6 - 0,5x1К
Технические условия: АЕЯР.431220.322ТУ / АЕЯР.431220.816ТУ
Наличие в межотраслевых ограничительных перечнях: есть
Техническое описание
Габаритный чертеж
Условное обозначение для САПР
3D-модели для САПР (step, stl)


Радиационно стойкие масочные ПЗУ

1665РЕ2У 01
1665РЕ2У
МПЗУ 16 Мбит

Разрядность: 32 бит
Цикл чтения/записи: 60/60 нс
Напряжение питания: 3,3 В 
Потребление: 50 мА
Доступна поставка с приёмкой ОТК

Параметр Характеристики
Состояние разработки: ОКР завершена (Литера «О»)
Технология: КМОП КНИ, 0.24 мкм
Объем/разрядность: 512Кх32 (16 Мбит, 32 разряда)
Цикл чтения: 60 нс
Время выборки: 60 нс
Напряжение питания: 3,3 В ± 10 %
Ток потребления в режиме хранения: 10 мА
Динамический ток потребления: 50 мА
Тип корпуса: 5134.64-6, УФ0.481.005ТУ
Стойкость к спецфакторам: 7И1 - 6Ус,
7И6 - 6Ус,
7И7 - 0,3x6Ус,
7И8 - 5Ус,
7С1 - 500x5Ус,
7С4 - 2,5x5Ус,
7К1 - 1,5x2К,
7К4- 1,5x1К
Технические условия: АЕНВ.431210.008ТУ
Техническое описание
Габаритный чертеж
Условное обозначение для САПР
3D-модели для САПР (step, stl)
1665РЕ1У 01
1665РЕ1У
МПЗУ 8 Мбит

Разрядность: 32 бит
Цикл чтения/записи: 40/40 нс
Напряжение питания: 3,3 В 
Потребление: 50 мА
Доступна поставка с приёмкой ОТК

Параметр Характеристики
Состояние разработки: ОКР завершена (Литера «О»)
Технология: КМОП КНИ, 0.24 мкм
Объем/разрядность: 256Кх32 (8 Мбит, 32 разряда)
Цикл чтения: 40 нс
Время выборки: 40 нс
Напряжение питания: 3,3 В ± 10%
Ток потребления в режиме хранения: 10 мА
Динамический ток потребления: 50 мА
Тип корпуса: 5134.64-6, УФ0.481.005ТУ
Стойкость к спецфакторам: 7И1 - 6Ус,
7И6 - 6Ус,
7И7 - 0,24x6Ус,
7И8 - 4x4Ус,
7С1 - 500x5Ус,
7С4 - 2x5Ус,
7К1 - 2К,
7К4- 1К
Технические условия: АЕНВ.431210.007ТУ
Техническое описание
Габаритный чертеж
Условное обозначение для САПР
3D-модели для САПР (step, stl)
1620РЕ4У 01
МПЗУ 1620РЕ4У*

* требуется возобновление производства. Рекомендуется применять более современные микросхемы НИИИС.
Объем: 2 Мбит
Напряжение питания: 3,3 В 
Потребление: 50 мА
Доступна поставка с приёмкой ОТК

Параметр Характеристики
Состояние разработки: ОКР завершена (Литера «О»)
Технология: КМОП КНИ, 0.5 мкм
Объем/разрядность: 64Кх32 (2 Мбит, 32 разряда)
Цикл чтения: 40 нс
Время выборки: 40 нс
Напряжение питания: 3,3 В ± 10%
Ток потребления в режиме хранения: 1 мА
Динамический ток потребления: 50 мА
Тип корпуса: 5134.64-6, УФ0.481.005ТУ
Стойкость к спецфакторам 7И1, 7И6, 7И7, 7И8, 7С1, 7С4: повышенная
Технические условия: АЕЯР.431210.565ТУ
Техническое описание
Габаритный чертеж
Условное обозначение для САПР
3D-модели для САПР (step, stl)

Предприятие:

Адрес:

Контакты: