Кристальное производство изделий микроэлектроники в НИИИС
| Наименование услуги | Описание |
|---|---|
| Изготовление пластин с кристаллами БИС: | Проектные нормы БИС от 1,6 мкм Диаметр пластин кремния 100 мм Максимальный размер кристалла 10×10 мм |
| Ионное легирование пластин примесями: B+, BF2+, P+: | Диаметр пластины кремния 100 мм Энергия до 180 кэВ, минимальная доза 0,05 мкКл/см2 |
| Термическое окисление пластин кремния: пирогенное, сухое, влажное: | Диаметр пластины кремния 100 мм Минимальная толщина оксида кремния 110 Å Максимальная толщина оксида кремния 1 мкм Максимальная температура 1200 °С |
| Нанесение слоев Al, Ti, TiN, Al+Si(1%).: | Диаметр пластины кремния 100 мм Нанесение производится методом магнетронного распыления материала мишени в вакууме |
| Плазмохимическое травление слоев Si, poly-Si, SiO2 Si3N4, Al: | Диаметр пластин кремния: 100 мм Толщина приборного слоя: 0,1- 5 мкм |
| Анизотропное плазмохимическое травление слоев кремния: | Диаметр пластин кремния: 100-150 мм Глубина травления: до 470 мкм |
| Формирование фотокопии с минимальным размером (зазор - элемент) 1,6 - 2 мкм: | Диаметр пластин кремния: 100 мм Толщина фоторезиста 1,3-20 мкм |
| Осаждение пленок поликристаллического кремния Si* и нитрида кремния Si3N4: | Диаметр пластины кремния 100 мм Процесс осаждения проходит в реакторе пониженного давления |
| Осаждение пленок ФСС и CVD SiO2: | Диаметр пластины кремния 100 мм Процесс осаждения проходит в реакторе пониженного давления Температура осаждения – 430 °С |
| Плазмохимическое осаждение SiO2 и Si3N4: | Диаметр пластины кремния 100 мм Процесс осаждения проходит в реакторе пониженного давления Температура осаждения – 300 °С |
| Изготовление пластин с кристаллами тестовых структур: | Техология КМОП-КНИ 0,35 мкм Диаметр пластин 150 мм Базовый срез 57,5 мм |
| Формирование тонких пленок аморфного и поликристаллического кремния, оксида кремния, нитрида кремния и вольфрама: | Химическое осаждение из газовой фазы с термической и плазменной активацией на пластинах КНИ или объемного кремния диаметром 150 мм |
| Формирование тонких пленок алюминия, титана, нитрида титана: | Вакуумное напыление на пластинах КНИ или объемного кремния диаметром 150 мм |
| Термическая диффузионная обработка, окисление кремния: | Диаметр пластины кремния 150 мм Технология КНИ или объемного кремния |
| Быстрая термическая обработка: | Диаметр пластины кремния 150 мм Технология КНИ или объемного кремния |
| Ионная имплантация (бор, фосфор, мышьяк): | Диаметр пластины кремния 150 мм Технология КНИ или объемного кремния |
| Формирование фоторезистивных масок: | Фотолитография с разрешением 0,35 мкм и более Точность совмещения слоев 100 нм Диаметр пластины кремния 150 мм Технология КНИ или объемного кремния |
| Реактивное-ионное травление тонких пленок оксида кремния, нитрида кремния, кремния, алюминия, титана, нитрида титана, оксида гафния-циркония и антиотражающих покрытий: | Диаметр пластины кремния 150 мм КНИ или объемного кремния |
| Плазменное удаление фоторезиста и полимерных антиотражающих покрытий: | Диаметр пластины кремния 150 мм Технология КНИ или объемного кремния |
| Жидкостная химическая очистка пластин: | Диаметр пластины кремния 150 мм Технология КНИ или объемного кремния |
| Жидкостное химическое удаление оксида кремния, нитрида кремния, титана, нитрида титана: | Диаметр пластины кремния 150 мм Технология КНИ или объемного кремния |
| Химико-механическое полирование тонких пленок оксида кремния и вольфрама: | Диаметр пластины кремния 150 мм Технология КНИ или объемного кремния |
| Измерения толщин тонких пленок оксида кремния, нитрида кремния, кремния и их стеков, фоторезистов и антиотражающих покрытий: | Диаметр пластины кремния 150 мм Технология КНИ или объемного кремния |
| Измерение поверхностного сопротивления тонких пленок алюминия, титана, нитрида титана, вольфрама и слоев легированного кремния: | Диаметр пластины кремния 150 мм Технология КНИ или объемного кремния |
| Измерение линейных размеров топологических элементов с разрешением до 0,25 мкм: | Диаметр пластины кремния 150 мм Технология КНИ или объемного кремния |
| Измерение электрофизических параметров тестовых структур: | Диаметр пластины кремния 150 мм Технология КНИ или объемного кремния |
| Контроль частиц на поверхности пластин: | Диаметр пластины кремния 150 мм Технология объемный кремний Размер частиц от 0,2 мкм и более |
| Постановка технологических процессов изготовления пластин с кристаллами ИС: | КМОП на КНИ, проектные нормы 0.35 мкм, количество уровней металлизации 4, напряжение питания 3.3В КМОП на объемном кремнии, проектные нормы 1.6 мкм, количество уровней металлизации 1 и 2, напряжение питания 12В и 16В КМОП на КНС-0.3/0.6, проектные нормы 1.6 мкм, количество уровней металлизации 1 и 2, напряжение питания 5В, 7В и 36В КНС-5, проектные нормы 1.6 мкм, количество уровней металлизации 1 и 2, напряжение питания 3В |
