Радиационно стойкие базовые матричные кристаллы

5511БЦ9Т 01
5511БЦ9Т
Цифровой БМК (4 500 000 вентилей)

Напряжение питания: от 3,0В до 3,6В
Встроенное ОЗУ: 64 Кбайт (8 блоков 8х8, DICE, ECC)
Встроенное ПЗУ: 32 Кбит (1 блок 1Kх32)
Встроенное PLL: 4 блока
Встроенное LVDS: 16 приемопередатчиков
Поставка с приёмкой ВП

Параметр Характеристики
Состояние разработки ОКР завершена (Литера «О»)
Технология КМОП-КНИ 0.24 мкм
Встроенные блоки ОЗУ 64 Кбайт (x8, 8х8, DICE, ECC), ПЗУ 32 Кбит (1Kх32), PLL (x4), LVDS (x16)
Напряжение питания от 3.0В до 3.6В
Максимальная рабочая частота до 100 МГц (по D-триггеру в счетном режиме)
Время задержки на вентиль до 0.5 нс
Защита от сбоев DICE-ячейки, ECC (код Хэмминга)
Стойкость к спецфакторам 7И1 - 5Уc,
7И6 - 5Уc,
7И7 - 0.5·5Уc,
7И8 - 3Уc,
7С1 - 50·5Уc,
7С4 - 14x5Уc,
7К1 - 7x2К,
7К4 - 2К,
7К9 (7К10) - ОРЭ ТЭ и КО: стойкая, ОРЭ ОС: стойкая,
7К11 (7К12) - ОРЭ ТЭ и КО: 60 МэВ∙см2/мг (пороговые ЛПЭ), 7,7x10-8 см2 (сечение ОРЭ отказов), 1,2 см2 (сечение насыщения), ОРЭ ОС: 60 МэВ∙см2/мг (пороговые ЛПЭ), 1,5x10-10 см2/бит (сечение насыщения)
Тип корпуса МК 4251.304-2, ТАСФ.301176.030ТУ
Конфигурируемые блоки Ядро ARM Cortex-M4F, UART, RS-232, МКИО, контроллер внешней системной шины, DMA, ARINC-429, SPI, I2C, SpaceWire, PCI, GPIO (x16), СОЗУ, WDT, 32-разрядный таймер
Средства проектирования моделирование (ModelSim SE MixedHDL, Incisive Enterprise Simulator XL)
синтез эл. cхемы (Design Compiler)
разработка топологии (Encounter Digital Implementation System XL)
верификация (Calibre)
Технические условия АЕНВ.431260.201ТУ
Наличие в межотраслевых ограничительных перечнях 2023 г.
Техническое описание
Габаритный чертеж
3D-модели для САПР (step, stl)
5511БЦ8Т 01
5511БЦ8Т
Цифровой БМК (3 200 000 вентилей)

Напряжение питания: от 3,0В до 3,6В
Встроенное ОЗУ: 192 Кбайт (24 блока 8х8, DICE, ECC)
Встроенное ПЗУ: 32 Кбит (1 блок 1Kх32)
Встроенное PLL: 4 блока
Встроенное LVDS: 16 приемопередатчиков
Поставка с приёмкой ВП

Параметр Характеристики
Состояние разработки: ОКР завершена (Литера «О»)
Технология: КМОП-КНИ 0.24 мкм
Встроенное блоки: ОЗУ 192 Кбайт (x24, 8х8, DICE, ECC), ПЗУ 32 Кбит (1Kх32), PLL (x4), LVDS (x16)
Напряжение питания: от 3.0В до 3.6В
Максимальная рабочая частота: до 100 МГц (по D-триггеру в счетном режиме)
Время задержки на вентиль: до 0.5 нс
Защита от сбоев DICE-ячейки, ECC (код Хэмминга)
Стойкость к спецфакторам 7И1 - 5Уc,
7И6 - 5Уc,
7И7 - 0.5·5Уc,
7И8 - 3Уc,
7С1 - 50·5Уc,
7С4 - 14x5Уc,
7К1 - 7x2К,
7К4 - 2К,
7К9 (7К10) - ОРЭ ТЭ и КО: стойкая, ОРЭ ОС: стойкая,
7К11 (7К12) - ОРЭ ТЭ и КО: 60 МэВ∙см2/мг (пороговые ЛПЭ), 7,7x10-8 см2 (сечение ОРЭ отказов), 1,2 см2 (сечение насыщения), ОРЭ ОС: 60 МэВ∙см2/мг (пороговые ЛПЭ), 1,5x10-10 см2/бит (сечение насыщения)
Тип корпуса МК 4251.304-2, ТАСФ.301176.030ТУ
Конфигурируемые блоки Ядро ARM Cortex-M4F, UART, RS-232, МКИО, контроллер внешней системной шины, DMA, ARINC-429, SPI, I2C, SpaceWire, PCI, GPIO (x16), СОЗУ, WDT, 32-разрядный таймер
Средства проектирования моделирование (ModelSim SE MixedHDL, Incisive Enterprise Simulator XL)
синтез эл. cхемы (Design Compiler)
разработка топологии (Encounter Digital Implementation System XL)
верификация (Calibre)
Технические условия АЕНВ.431260.201ТУ
Наличие в межотраслевых ограничительных перечнях 2023 г.
Техническое описание
Габаритный чертеж
3D-модели для САПР (step, stl)
5511БЦ7Т 01
5511БЦ7Т
Цифровой БМК (2 500 000 вентилей)

Напряжение питания: от 3,0В до 3,6В
Встроенное ОЗУ: 256 Кбайт (32 блока 8х8, DICE, ECC)
Встроенное ПЗУ: 32 Кбит (1 блок 1Kх32)
Встроенное PLL: 4 блока
Встроенное LVDS: 16 приемопередатчиков
Поставка с приёмкой ВП

Параметр Характеристики
Состояние разработки: ОКР завершена (Литера «О»)
Технология: КМОП-КНИ 0.24 мкм
Встроенные блоки: ОЗУ 256 Кбайт (x32, 8х8, DICE, ECC), ПЗУ 32 Кбит (1Kх32), PLL (x4), LVDS (x16)
Напряжение питания: от 3.0В до 3.6В
Максимальная рабочая частота: до 100 МГц (по D-триггеру в счетном режиме)
Время задержки на вентиль: до 0.5 нс
Защита от сбоев: DICE-ячейки, ECC (код Хэмминга)
Стойкость к спецфакторам 7И1 - 5Уc,
7И6 - 5Уc,
7И7 - 0.5·5Уc,
7И8 - 3Уc,
7С1 - 50·5Уc,
7С4 - 14x5Уc,
7К1 - 7x2К,
7К4 - 2К,
7К9 (7К10) - ОРЭ ТЭ и КО: стойкая, ОРЭ ОС: стойкая,
7К11 (7К12) - ОРЭ ТЭ и КО: 60 МэВ∙см2/мг (пороговые ЛПЭ), 7,7x10-8 см2 (сечение ОРЭ отказов), 1,2 см2 (сечение насыщения), ОРЭ ОС: 60 МэВ∙см2/мг (пороговые ЛПЭ), 1,5x10-10 см2/бит (сечение насыщения)
Тип корпуса: МК 4251.304-2, ТАСФ.301176.030ТУ
Средства проектирования моделирование (ModelSim SE MixedHDL, Incisive Enterprise Simulator XL)
синтез эл. cхемы (Design Compiler)
разработка топологии (Encounter Digital Implementation System XL)
верификация (Calibre)
Технические условия АЕНВ.431260.201ТУ
Наличие в межотраслевых ограничительных перечнях 2023 г.
Техническое описание
Габаритный чертеж
3D-модели для САПР (step, stl)
5511БЦ5Т 01
5511БЦ5Т
Цифровой БМК (950 000 вентилей) 

Напряжение питания: от 2,97В до 3.63В
Температура: от -60ºС до +85ºС
Встроенное PLL: 4 блока
Поставка с приёмкой ВП

Параметр Характеристики
Состояние разработки ОКР завершена
Технология КМОП-КНИ 0.35 мкм
Встроенные PLL 4 блока
Напряжение питания от 2,97В до 3,63В
Максимальная рабочая частота до 150 МГц
Время задержки на вентиль до 0,5 нс
Стойкость к спецфакторам
не ниже*		 7И1 - 0.6·6УС; 7И6 - 6УС; 7И7 - 2.6·4УС; 7И8 -1.7·2УС
7С1 - 300·5УС; 7С4 - 1.3·5УС
7К1 - 0.6·2К; 7К4 - 0.6·1К
Температурный диапазон от -60ºС до +85ºС
Тип корпуса 4245.240-6.01, ТАСФ.301176.004ТУ
Конфигурируемые блоки: Контроллер последовательного стандартного интерфейса SPI
Контроллер RS-232
Контроллер мультиплексного канала информационного обмена ГОСТ Р 52070-2003
Контроллер интерфейса SPI
Контроллер I2C
Контроллер SpaceWire
Контроллер интерфейса PCI
Контроллер по ГОСТ 18977-79 (ARINC-429)
Технические условия: АЕЯР.431260.932ТУ
* указана максимальная рабочая частота доступная пользователю при условии простых вычислений.
* приведены сниженные значения стойкости к спецфакторам. Истинные значения стойкости предоставляются по запросу
Техническое описание
Габаритный чертеж
3D-модели для САПР (step, stl)
5511БЦ3Т 01
5511БЦ3Т
Цифровой БМК (750 000 вентилей)

Напряжение питания: от 2,97В до 3.63 В
Встроенное ОЗУ: 96 блоков 256x8
Встроенное ПЗУ: 96 блоков 512x4
Встроенное PLL: 4 блока
Поставка с приёмкой ВП

Параметр Характеристики
Состояние разработки ОКР завершена. Микросхема поставляется с Литерой «А»
Технология КМОП КНИ 0.35 мкм
Встроенные блоки ОЗУ (192 Кбит, 96 блоков 256x8); ПЗУ (192 Кбит, 96 блоков 512x4); LVDS; PLL (4 блока)
Напряжение питания от 2,97В до 3.63В
Максимальная рабочая частота до 100 МГц (по D-триггеру в счетном режиме)
Время задержки на вентиль до 0,5 нс
Защита от сбоев холодный резерв
Количество доменов питания любое
Стойкость к спецфакторам 7И1 - 0,6x6Ус,
7И6 - 6Ус,
7И7 - 0,7x2Ус,
7И8 - 0,9x1Ус,
7С1 - 300x5Ус,
7С4 - 0,14x5Ус,
7С5 - 106x1Ус,
7К1 - 1.4x1К,
7К4 - 0.07x1К,
7К9(7К10) - ОРЭ ТЭ и КО: стойкая, ОРЭ ОС: 15 МэВ (пороговые ЛПЭ), 2x10 -14 см 2/бит (сечение насыщения),
7К11(7К12) - ОРЭ ТЭ и КО: 68 МэВ∙см2/мг (пороговые ЛПЭ), 6,3x10-8 см 2 (сечение ОРЭ отказов), ОРЭ ОС: 7 МэВ∙см2/мг (пороговые ЛПЭ), 5,5x10-7 см2/бит (сечение насыщения)
Тип корпуса 4251.240-6.01, ТАСФ.301176.004ТУ
Конфигурируемые блоки UART; RS-232; МКИО; SPI; I2C; SpaceWire; PCI; ARINC-429
Средства проектирования моделирование (ModelSim SE MixedHDL, Incisive Enterprise Simulator XL);
синтез эл. cхемы (Design Compiler);
разработка топологии (Encounter Digital Implementation System XL);
верификация (Calibre)
Технические условия АЕЯР.431260.810ТУ
Наличие в межотраслевых ограничительных перечнях есть
Техническое описание
Габаритный чертеж
3D-модели для САПР (step, stl)
5511БЦ4Т 01
5511БЦ4Т
Цифровой БМК (420 000 вентилей)

Напряжение питания: от 2,97В до 3.63 В
Встроенное PLL: 4 блока
Поставка с приёмкой ВП

Параметр Характеристики
Состояние разработки ОКР завершена
Технология: КМОП КНИ 0.35 мкм
Встроенные PLL 4 блока
Напряжение питания от 2,97В до 3.63 В
Максимальная рабочая частота* до 150 МГц
Время задержки на вентиль до 0,5 нс
Стойкость к спецфакторам
не ниже**		 7И1 - 0.6·6УС; 7И6 - 6УС; 7И7 - 6УС; 7И8 - 3.5·2УС;
7С1 - 300·5УС; 7С4 - 10·5УС;
7К1 - 2К; 7К4 - 1К
Температурный диапазон от -60ºС до +85ºС
Тип корпуса: 4238.108-3, ТАСФ.301176.003ТУ
Конфигурируемые блоки Контроллер интерфейса UART
Контроллер интерфейса RS-232
Контроллер мультиплексного канала информационного обмена ГОСТ Р 52070-2003
Контроллер интерфейса SPI
Контроллер интерфейса I2С
Контроллер SpaceWire
Контроллер интерфейса PCI
Контроллер по ГОСТ 18977-79 (ARINC-429)
Технические условия: АЕЯР.431260.931ТУ
* указана максимальная рабочая частота доступная пользователю при условии простых вычислений.
** приведены сниженные значения стойкости к спецфакторам. Истинные значения стойкости предоставляются по запросу
Техническое описание
Габаритный чертеж
3D-модели для САПР (step, stl)
5511БЦ6У 01
5511ТН015
Цифровой БМК (200 000 вентилей)

Напряжение питания: от 2,7 В до 3,3 В
Статическое потребление: 10 мА
Температура: от -60ºС до +125ºС
Поставка с приёмкой ВП

Параметр Характеристики
Состояние разработки В стадии выполнения. Срок завершения ОКР 2026 г.
Технология КМОП КНИ, 0,24 мкм
Встроенные PLL 1 блок
Встроенные LVDS 2 блока
Напряжение питания: от +4.5 В до + 7.5 В
Максимальная рабочая частота * до 100 МГц
Время задержки на вентиль не более 0,5 нс
Количество доменов питания любое
Защита от сбоев КНИ технология, холодный резерв
Средства проектирования моделирование (ModelSim SE MixedHDL, Incisive Enterprise Simulator XL);
синтез эл. схемы (Design Compiler);
разработка топологии (Encounter Digital Implementation System XL);
верификация (Calibre)
Стойкость к спецфакторам 8И1, 8И6, 8И7, 8И8, 8С1, 8С4 повышенная
Температурный диапазон от -60ºС до +125ºС
Тип корпуса МК 5157.64-1, ТАСФ.301176.077 ТУ
Конфигурируемые блоки Генератор с фазовой автоподстройкой частоты (ФАПЧ/PLL)
Технические условия АЕНВ. 431260.791ТУ
* указана максимальная рабочая частота доступная пользователю при условии простых вычислений
Техническое описание
Габаритный чертеж
3D-модели для САПР (step, stl)
5511БЦ6У 01
5511БЦ6Т/6У
Цифровой БМК (20 000 вентилей)

Тактовая частота: до 40 МГц
Напряжение питания: от 4.5 В до 7.5 В
Статическое потребление: 10 мА
Температура: от -60ºС до +85ºС
Поставка с приёмкой ВП

Параметр Характеристики
Состояние разработки ОКР завершена
Технология КМОП КНС 1.6 мкм
Максимальная рабочая частота * до 40 МГц
Время задержки на вентиль не более 3.8 нс
Емкость нагрузки 50 пФ
Напряжение питания: от +4.5 В до + 7.5 В
Статический ток потребления: 10 мА (10 мА после СВВ)
Тип корпуса: 2 типа корпусов:
Н18.64-1В, УФ0.481.005ТУ
4226.108-2, УФ0.487.070ТУ
Стойкость к спецфакторам
не ниже*:		 7И1 - 5УС; 7И6 - 2.9·5УС; 7И7 - 0.9·6УС; 7И8 - 1.8·2УС;
7С1 - 90·5УС; 7С4 - 1.9·5УС;
7К1 - 0.1·1К; 7К4 - 0.005·1К
Температурный диапазон от -60ºС до +85ºС
Технические условия АЕЯР.431260.562ТУ
* приведены сниженные значения стойкости к спецфакторам. Истинные значения стойкости предоставляются по запросу
Техническое описание
Габаритный чертеж
3D-модели для САПР (step, stl)
5511БЦ2Т 01
5511БЦ2Т/2Н4 *
Цифровой БМК (20 000 вентилей)

* Рекомендуется применение БМК 5511БЦ2Т или более современных микросхем
Тактовая частота: до 40 МГц
Напряжение питания: +5.0 В
Статическое потребление: 10 мА
Температура: до +85ºС
Поставка с приёмкой ВП

Параметр Характеристики
Состояние разработки: ОКР завершена
Технология: КМОП-КНС 1.6 мкм
Тактовая частота: до 40 МГц
Время задержки на вентиль
«2И-НЕ»:		 не более 3.8 нс
Напряжение питания: +5.0 В ± 10%
Статический ток потребления: 10 мА (15 мА после СВВФ)
Емкость нагрузки: 50 пФ
Тип корпуса: 4226.108-2, УФ0.487.070ТУ
Бескорпусное исполнение: Модификация «Н4»
Стойкость к спецфакторам
не ниже*:		 7И1 - 0.92·5УС; 7И6 - 1.9·5УС; 7И7 - 3.9·4УС;
7С1 - 87·5УС; 7С4 - 1.95·5УС;
7К1 - 0.1·1К; 7К4 - 0.005·1К
Температурный диапазон: -60ºС ... +85ºС
Технические условия: АЕЯР.431260.562ТУ
* приведены сниженные значения стойкости к спецфакторам. Истинные значения стойкости предоставляются по запросу
Техническое описание
Габаритный чертеж
3D-модели для САПР (step, stl)
5511БЦ1У 02
5511БЦ1У
Цифровой БМК (3 000 вентилей)

Напряжение питания: от 4,5В до 5.5 В
Температура: от -60ºС до +85ºС
Поставка с приёмкой ВП

Параметр Характеристики
Состояние разработки: ОКР завершена. Микросхема поставляется с Литерой «А»
Технология КМОП КНС 2.3 мкм
Напряжение питания: от 4,5В до 5.5 В
Максимальная рабочая частота до 15 МГц (по D-триггеру в счетном режиме)
Время задержки на вентиль до 2,5 нс (при +25ºС )
до 2,9 нс (при -60ºС ... +85ºС )
Стойкость к спецфакторам 7И1 - 5Ус,
7И6 - 2x5Ус,
7И7 - 2x4Ус,
7И8 - 3Ус,
7С1 - 5Ус,
7С3 - 5Ус,
7С4 - 5Ус,
7С6 - 5Ус,
7К1 - 2,x1К,
7К3 - 2,5x1К,
7К4 - 0,5x1К,
7К6 - 0,5x1К
Тип корпуса Н18.64-1В, УФ0.481.005ТУ
Бескорпусное исполнение Модификация «Н4» (5511БЦ1Н4)
Средства проектирования моделирование (Алмаз:Невод),
синтез эл. cхемы, разработка топологии (Алмаз:Сократ)
Технические условия АЕЯР.431260.324ТУ
Наличие в межотраслевых ограничительных перечнях есть
Техническое описание
Габаритный чертеж
3D-модели для САПР (step, stl)
5415ТР014 01
5415ТР014
Аналого-цифровой БМК (20 000 вентилей)

Аналоговая часть: АЦП 8 бит, ЦАП 8 бит, ОУ
Тактовая частота: до 40 МГц
Напряжение питания: +3.3 В
Потребление: 250 мА
Доступна поставка с приёмкой ОТК

Параметр Характеристики
Состояние разработки: ОКР завершена
Технология: КМОП-КНИ 0.35 мкм
Тактовая частота: до 40 МГц
Напряжение питания: +3.3 В ± 10%
Статический ток потребления: 250 мА
Периферия: 8-разрядный АЦП (1 шт.)
8-разрядный ЦАП (1 шт.)
Операционный усилитель/компаратор (12 шт.)
Ключи аналоговые
Генератор тактовый
Нескоммутированные резисторы
Нескоммутированные конденсаторы
Высоковольтные конденсаторы.
Интерфейсы: Контроллер последовательного порта UART
Контроллер последовательного стандартного интерфейса SPI
Контроллер интерфейса I2C.
Тип корпуса: 4226.108-2, УФ0.487.070ТУ
Стойкость к спецфакторам
не ниже*:		 7И1 - 0.9·4УС; 7И6 - 0.95·4УС; 7И7 - 0.9·4УС
Температурный диапазон: -60ºС ... +125ºС
Технические условия: АЕНВ.431260.401ТУ
* приведены сниженные значения стойкости к спецфакторам. Истинные значения стойкости предоставляются по запросу
Техническое описание
Габаритный чертеж
Условное обозначение для САПР
Посадочное место для САПР
3D-модели для САПР (step, stl)
НБК1501Т
НБК1501Т
АНАЛОГО-ЦИФРОВОЙ БМК (500 ВЕНТИЛЕЙ)

Аналоговая часть: ???
Тактовая частота: 10 МГц
Напряжение питания: 5.0 В 
Потребление: 50 мА
Доступна поставка с приёмкой ОТК

Параметр Характеристики
Состояние разработки1: ОКР завершена
Технология: КМОП на объемном кремнии 2.6 мкм
Тактовая частота: 10 МГц
Напряжение питания: от +4.5 В до +5.5 В
Статический ток потребления: ??? мА
Разрядность делителя тока: 8
Тип корпуса: Н18.64-1В, УФ0.481.005ТУ
Стойкость к спецфакторам
не ниже*:		 7И1 - 2.9·5УС; 7И6 - 2.8·6УС; 7И7 - 0.85·6УС
Температурный диапазон: -60ºС ... +85ºС
Технические условия: ГВАТ.431268.001ТУ
* приведены сниженные значения стойкости к спецфакторам. Истинные значения стойкости предоставляются по запросу
Техническое описание
Габаритный чертеж
Условное обозначение для САПР
Посадочное место для САПР
3D-модели для САПР (step, stl)

Радиационно стойкие ПЛИС

5583ТС014
5583ТС014
ПЛИС с ОЗУ и ОППЗУ (4096 логических ячеек)

Аналоговая часть: ОУ, компаратор, ГУН, ключи
Тактовая частота: 50 МГц
Напряжение питания: 3.3 В или 5.0 В
Потребление: 30 мА
Доступна поставка с приёмкой ОТК

Параметр Характеристики
Состояние разработки: ОКР завершена
Технология: КМОП-КНИ 0.18 мкм
Количество конфигурируемых логических ячеек: 4096
Количество программируемых выводов: 100
Тактовая частота: 50 МГц
Напряжение питания: 3.3/5.0 В ± 10%
Статический ток потребления: 30 мА
Хранение проекта: ОППЗУ (Antifuse) и ОЗУ (возможность отладки проекта перед «зашивкой»)
Тип корпуса: 4248.144-1, ТАСФ.301176.030ТУ
Стойкость к спецфакторам
не ниже*:		 7И1 - 0.8·5УС; 7И6 - 0.9·5УС; 7И7 - 0.85·5УС; 7И8 - 0.9·4УС;
7К1 - 2К; 7К4 - 1К
Температурный диапазон: -60ºС ... +85ºС
Технические условия: АЕНВ.431260.323ТУ
* приведены сниженные значения стойкости к спецфакторам. Истинные значения стойкости предоставляются по запросу
Техническое описание
Габаритный чертеж
Условное обозначение для САПР
Посадочное место для САПР
3D-модели для САПР (step, stl)
НБЦ3501Н2
НБЦ3501Р2 «Оникс»
Цифровой БМК (3 000 вентилей)

Тактовая частота: 15 МГц
Напряжение питания: +5.0 В
Потребление: ??? мА
Доступна поставка с приёмкой ОТК

Параметр Характеристики
Состояние разработки: ОКР завершена
Технология: КМОП-КНС 2.3 мкм
Тактовая частота: 15 МГц
Время задержки на вентиль «2И-НЕ»: не более 2.9 нс
Напряжение питания: +5.0 В ± 10%
Статический ток потребления: 10 мА (15 мА после СВВФ)
Динамический ток потребления: ??? мА
Емкость нагрузки: 150 пФ
Тип корпуса: бескорпусное исполнение, на гибком носителе с ленточными выводами
Стойкость к спецфакторам: (7И1, 7И6, 7И7, 7И8, 7С1, 7С4) экстремальная
Температурный диапазон: -60ºС ... +85ºС
Технические условия: ГВАТ.431262.018ТУ
Техническое описание
Габаритный чертеж
Условное обозначение для САПР
Посадочное место для САПР
3D-модели для САПР (step, stl)

Предприятие:

Адрес:

Контакты: