| Разделение пластин на кристаллы: |
Разделение пластин КНИ и объемного кремния методом сквозной дисковой резки с применением алмазного режущего инструмента;
- размер ширины реза с дефектной зоной составляет 40-50 мкм;
- возможность разделения пластин диаметром до 200 мм;
- возможность разделения пластин толщиной до 500 мкм.
Разделение пластин КНС методом сквозной дисковой резки с применением алмазного режущего инструмента;
- размер ширины реза с дефектной зоной составляет 200-250 мкм;
- возможность разделения пластин диаметром до 200 мм;
- возможность разделения пластин с толщиной до 500 мкм.
Разделение пластин объемного кремния, КНИ лазерным методом с последующей доломкой (обязательное требование - отсутствие металлизации на дорожке реза)
-размер ширины реза с дефектной зоной составляет менее 10 мкм;
- возможность разделения пластин диаметром до 200 мм;
- возможность разделения пластин с толщиной 100-450 мкм
|
| Формирование соединений между выводами кристалла и корпуса: |
Ультразвуковая сварка проволочных выводов
- материал используемой проволоки: алюминий;
- диаметр используемой проволоки: от 17 до 75 мкм; от 100 до 500 мкм;
Сварка клин-клин;
- возможность осуществления многоуровневой разварки;
- возможность формирования балочных выводов полиимидного носителя к контактным площадкам кристалла
|
| Монтаж кристаллов в корпуса на токопроводящие и токоизоляционные клеевые композиции: |
Автоматический и ручной способ |
| Герметизация металло-керамических корпусов: |
Шовно-роликовая сварка в среде осушенного азота (точка росы ≤ -67ºС) |
| Герметизация корпусов: |
Вакуумная пайка в среде муравьиной кислоты (создание вакуума до -92,3 кПа) |
| Маркировка изделий: |
Лазерный метод |
| Монтаж шариковых выводов (диаметром 0,35 и 0,4 мм): |
Лазерный метод |
| Контроль изделий электронной техники (цифровых СБИС, БИС, ОЗУ, ПЗУ, микросхем ЦАП, АЦП, СВЧ, дискретных полупроводниковых приборов) специального и общепромышленного назначения при их разработке, испытаниях, производстве и эксплуатации: |
Тестер БИС "Formula-2K":
- количество каналов до 128,
- напряжение (от -5 до +6) В,
- ток до 10мA,
- частота до 20 МГц.
Комплекс для измерения ЦАП и АЦП микросхем:
- до 128 цифровых каналов,
- напряжение (от 0 до 60) В,
- ток от 10 мкА до 10А,
- частота до 100 МГц.
Комплекс для измерения СВЧ микросхем:
- частота до 2 ГГц,
- напряжение (от 0 до 25) В,
- ток от 10 мА до 6А.
Логический анализатор цифровых БИС
- количество каналов до 256
- диапазон задания периода от 6 до 163840 нс
- длина векторной последовательности до 7 МБт
- диапазон задания/измерения напряжения от -2 В до 7В
- диапазон задания/измерения тока ± 40мА
- диапазон источников питания ± 8 В (8А)
Зондовые установки для контроля кристаллов изделий на пластинах диаметром 100, 150 и 200 мм
Установки «тепло/холод» для испытаний изделий в диапазоне температур от -60˚С до +225˚С.
Контроль изделий на кристаллах и в корпусах проводится в ручном и полуавтоматическом режиме.
Подбор либо разработка и изготовление оснастки индивидуально под каждого потребителя |
