Радиационно стойкие ЦАП/АЦП

5029НА015 «Цифра-А3»
14-разрядный прецизионный цифро-аналоговый преобразователь

Частота преобразования: до 0,05 МГц
Разрядность; 14 бит
Напряжение питания: 5,0 В ± 10%
Потребление: 60 мА
Температура: до +85 ºС

Параметр	Характеристики
Состояние разработки:	В стадии выполнения. Срок окончания ОКР 2022 г.
Технология:	КМОП КНИ, 0.24 мкм
Напряжение питания:	5,0 В ± 10%
Частота преобразования:	до 0,05 МГц
Интегральная нелинейность:	± 5 МЗР
Дифференциальная нелинейность:	± 2 МЗР
Динамический ток потребления:	60 мА
Емкость нагрузки:	20 пФ
Тип корпуса:	Н14.42-2В УФ0.481.005ТУ
Стойкость к спецфакторам не ниже*:	7И₁ - 0.95·5У_С; 7И₆ - 0.95·5У_С; 7И₇ - 0.95·2У_С 7С₁ - 95·5У_С; 7С₄ - 0,19·5У_С 7К₁ - 2·1K; 7К₄ - 0,1·1К
Температурный диапазон:	-60 ºС ... +85 ºС
Технические условия:	АЕНВ.431320.682ТУ

* приведены сниженные значения стойкости к спецфакторам. Истинные значения стойкости предоставляются по запросу

Техническое описание

Габаритный чертеж

3D-модели для САПР (step, stl)

5029НВ025 «Цифра-А1»
14-разрядный аналого-цифровой преобразователь последовательного приближения

Частота преобразования: до 0,5 МГц
Разрядность: 14 бит
Напряжение питания: 3,3 В
Потребление: 60 мА
Температура: до +85ºС

Параметр	Характеристики
Состояние разработки:	В стадии выполнения
Технология:	Объемный кремний, 0.24 мкм
Напряжение питания:	3,3 В ± 10%
Частота преобразования:	от 0,1 до 0,5 МГц
Интегральная нелинейность:	± 8 МЗР
Дифференциальная нелинейность:	± 5 МЗР
Динамический ток потребления:	60 мА
Емкость нагрузки:	20 пФ
Тип корпуса:	Н14.42-2В УФ0.481.005ТУ
Стойкость к спецфакторам не ниже*:	7И₁ - 0.95·5У_С; 7И₆ - 0.9·6У_С; 7И₇ - 0.9·5У_С 7С₁ - 5У_С; 7С₄ - 5·5У_С 7К₁ - 0.5·2К; 7К₄ - 0.5·1К
Температурный диапазон:	-60 ºС ... +85 ºС
Технические условия:	АЕНВ.431320.633ТУ

* приведены сниженные значения стойкости к спецфакторам. Истинные значения стойкости предоставляются по запросу

Техническое описание

Габаритный чертеж

3D-модели для САПР (step, stl)

5029НВ035 «АЦП-50»
12-разрядный конвейерный аналого-цифровой преобразователь

Частота преобразования: до 50 МГц
Разрядность: 12 бит (прорабатывается увеличение до 14 бит)
Напряжение питания: 3,3 В
Потребление: 300 мА
Температура: до +85 ºС

Параметр	Характеристики
Состояние разработки:	В стадии выполнения. Срок завершения ОКР 2024 г.
Технология:	КМОП, 0.18 мкм
Напряжение питания:	3,3 В ± 0,3 В
Частота преобразования:	до 50 МГц
Интегральная нелинейность:	± 8 МЗР
Дифференциальная нелинейность:	от -1 до 5 МЗР
Динамический ток потребления:	до 300 мА
Емкость нагрузки:	20 пФ
Тип корпуса:	Н18.64-1В УФ0.481.005ТУ
Стойкость к спецфакторам не ниже*:	7И₁ - 2.85·5У_С; 7И₆ - 0.95·6У_С; 7И₇ - 0.95·5У_С 7С₁ - 285·5У_С; 7С₄ - 4.75·5У_С
Температурный диапазон:	-60 ºС ... +85 ºС
Технические условия:	АЕНВ.431320.713ТУ

* приведены сниженные значения стойкости к спецфакторам. Истинные значения стойкости предоставляются по запросу

Габаритный чертеж

3D-модели для САПР (step, stl)

5029НВ015 «АЦП-С»
12-разрядный конвейерный аналого-цифровой преобразователь

Частота преобразования: до 2 МГц
Разрядность: 12 бит
Напряжение питания: 3,3 В
Потребление: 60 мА
Температура: до +85 ºС

Параметр	Характеристики
Состояние разработки:	В стадии выполнения. Имеются образцы для тестирования
Технология:	Объемный кремний, 0.18 мкм
Напряжение питания:	3,3 В ± 0,3 В
Частота преобразования:	от 0,1 до 1,1 МГц (прорабатывается увеличение до 2 МГц)
Интегральная нелинейность:	± 5 МЗР
Дифференциальная нелинейность:	± 2 МЗР
Динамический ток потребления:	60 мА
Относительная погрешность преобразования:	± 0,165 % · UREF
Тип корпуса:	Н18.64-1В УФ0.481.005ТУ
Стойкость к спецфакторам не ниже*:	7И₁ - 0.9·4У_С; 7И₆ - 1.9·4У_С; 7И₇ - 0.9·4У_С 7С₁ - 95·5У_С; 7С₄ - 1.9·5У_С
Температурный диапазон:	-60 ºС ... +85 ºС
Технические условия:	АЕНВ.431320.583ТУ

* приведены сниженные значения стойкости к спецфакторам. Истинные значения стойкости предоставляются по запросу

Техническое описание

Габаритный чертеж

Условное обозначение для САПР

3D-модели для САПР (step, stl)

5580НВ015 «Гейзер»
10-разрядный конвейерный АЦП

Частота преобразования: до 1 МГц
Разрядность: 10 бит
Напряжение питания: 5,0 В
Потребление: 120 мА
Температура: до +85ºС

Параметр	Характеристики
Состояние разработки:	Завершена в 2018г. Микросхема поставляется с Литера-А
Технология:	Объемный кремний, 2.6 мкм
Напряжение питания:	5 В ± 5%
Частота преобразования:	от 0,1 МГц до 1,0 МГц
Интегральная нелинейность:	± 5 МЗР
Дифференциальная нелинейность:	± 2 МЗР
Динамический ток потребления:	120 мА
Тип корпуса:	МК.5134.64-6, УФ0.481.005ТУ
Стойкость к спецфакторам не ниже*:	7И₁ - 0.1·1У_С; 7И₆ - 0.1·1У_С; 7И₇ - 0.3·1У_С; 7С₁ - 50·5У_С; 7С₄ - 0.97·5У_С
Температурный диапазон:	-60 ºС ... +85 ºС
Технические условия:	АЕНВ.431320.124ТУ

* приведены сниженные значения стойкости к спецфакторам. Истинные значения стойкости предоставляются по запросу

Техническое описание

Габаритный чертеж

Условное обозначение для САПР

3D-модели для САПР (step, stl)