Радиационно стойкие аналого-цифровые схемы


Радиационно стойкий ЦАП

55029НВ015 01
5029НА015
14-разрядный прецизионный цифро-аналоговый преобразователь

Частота преобразования: до 0,05 МГц
Разрядность; 14 бит
Напряжение питания: 5,0 В ± 10%
Потребление: 60 мА
Температура: до +85 ºС
Поставка с приёмкой ВП

Параметр Характеристики
Состояние разработки: ОКР завершена
Технология: КМОП КНИ, 0.24 мкм
Напряжение питания: 5,0 В ± 10%
Частота преобразования: до 0,05 МГц
Интегральная нелинейность: ± 5 МЗР
Дифференциальная нелинейность: ± 2 МЗР
Динамический ток потребления: 60 мА
Емкость нагрузки: 20 пФ
Тип корпуса: Н14.42-2В УФ0.481.005ТУ
Стойкость к спецфакторам
не ниже*:		 7И1 - 0.95·5УС; 7И6 - 0.95·5УС; 7И7 - 0.95·2УС
7С1 - 95·5УС; 7С4 - 0,19·5УС
7К1 - 2·1K; 7К4 - 0,1·1К
Температурный диапазон: -60 ºС ... +85 ºС
Технические условия: АЕНВ.431320.682ТУ
* приведены сниженные значения стойкости к спецфакторам. Истинные значения стойкости предоставляются по запросу
Техническое описание
Габаритный чертеж
3D-модели для САПР (step, stl)


Радиационно стойкие АЦП

55029НВ015 01
5029НВ045
4-канальный 12-разрядный аналого-цифровой преобразователь

Частота преобразования: от 0,1 до 0,5 МГц
Разрядность; 12 бит
Напряжение питания: 3,3В ± 0,3В
Потребление: 60 мА
Температура: до +85 ºС
Поставка с приёмкой ВП

Параметр Характеристики
Состояние разработки срок завершения ОКР 2026 г.
Технология КМОП, 0,18 мкм
Напряжение питания 3,3В ± 0,3 В
Частота преобразования от 0,1 до 0,5 МГц
Интегральная нелинейность ± 8 МЗР
Дифференциальная нелинейность от -1 до 5 МЗР
Погрешность полной шкалы от -3 до 3 %
Динамический ток потребления до 60 мА
Емкость нагрузки 20 пФ
Тип корпуса МК.5157.64-1, ТАСФ.301176.077ТУ
Стойкость к спецфакторам 8И1 - 3x5Ус,
8И6 - 6Ус,
8И7 - 6Ус,
8С1 - 300x5Ус,
8С8 - 10x5Ус.
В ходе выполнения ОКР будут проведены определительные испытания на стойкость к факторам 8И2, 8И3, 8К9, 8К13
Технические условия: АЕНВ.431320.807ТУ
Техническое описание
Габаритный чертеж
3D-модели для САПР (step, stl)
5029НВ025 01-660
5029НВ025
14-разрядный аналого-цифровой преобразователь последовательного приближения

Частота преобразования: до 0,5 МГц
Разрядность: 14 бит
Напряжение питания: 3,3 В
Потребление: 60 мА
Температура: до +85ºС
Поставка с приёмкой ВП

Параметр Характеристики
Состояние разработки ОКР завершена (Литера «О»)
Технология объёмный кремний, 0.24 мкм
Напряжение питания 3,3 В ± 10%
Частота преобразования от 0,1 до 0,5 МГц
Интегральная нелинейность ± 8 МЗР
Дифференциальная нелинейность ± 5 МЗР
Динамический ток потребления 60 мА
Емкость нагрузки 20 пФ
Тип корпуса Н14.42-2В УФ0.481.005ТУ
Стойкость к спецфакторам 7И 1 - 3x5Ус,
7И6 - 6Ус,
7И7 - 6Ус,
7С1 - 300x5Ус,
7С4 - 10x5Ус,
7К1 - 2x1К,
7К4 - 0,1x1К,
В ходе выполнения ОКР будут проведены определительные испытания на стойкость к факторам 7К9 (7К10), 7К11 (7К12)
Технические условия: АЕНВ.431320.633ТУ
Техническое описание
Габаритный чертеж
3D-модели для САПР (step, stl)
5029NV035 01
5029НВ035
8-разрядный конвейерный аналого-цифровой преобразователь

Частота преобразования: от 10 до 50 МГц
Разрядность: 8 бит
Напряжение питания: 3,3В ± 0,15 В
Потребление: 300 мА
Температура: до +85 ºС
Поставка с приёмкой ВП

Параметр Характеристики
Состояние разработки: В стадии выполнения. Срок завершения ОКР 2026 г.
Технология: КМОП, 0.18 мкм
Напряжение питания: 3,3В ± 0,15 В
Частота преобразования: от 10 до 50 МГц
Интегральная нелинейность: ± 8 МЗР
Дифференциальная нелинейность: от -1 до 5 МЗР
Погрешность полной шкалы: от -2 до 2%
Динамический ток потребления: до 300 мА
Емкость нагрузки: 20 пФ
Тип корпуса: МК 5157.64-1, ТАСФ.301176.077ТУ
Стойкость к спецфакторам 7И1, 7И6, 7И7, 7С1, 7С4: повышенная
Температурный диапазон: -60 ºС ... +85 ºС
Технические условия: АЕНВ.431320.713ТУ
Габаритный чертеж
3D-модели для САПР (step, stl)
55029НВ015 01
5029НВ015
12-разрядный конвейерный аналого-цифровой преобразователь

Частота преобразования: до 2 МГц
Разрядность: 12 бит
Напряжение питания: 3,3 В
Потребление: 60 мА
Температура: до +85 ºС
Поставка с приёмкой ВП

Параметр Характеристики
Состояние разработки: ОКР завершена. Имеются образцы для тестирования
Технология: Объемный кремний, 0.18 мкм
Напряжение питания: 3,3 В ± 0,3 В
Частота преобразования: от 0,1 до 1,1 МГц (прорабатывается увеличение до 2 МГц)
Интегральная нелинейность: ± 5 МЗР
Дифференциальная нелинейность: ± 2 МЗР
Динамический ток потребления: 60 мА
Относительная погрешность преобразования: ± 0,165 % · UREF
Тип корпуса: Н18.64-1В УФ0.481.005ТУ
Стойкость к спецфакторам
не ниже*:		 7И1 - 0.9·4УС; 7И6 - 1.9·4УС; 7И7 - 0.9·4УС
7С1 - 95·5УС; 7С4 - 1.9·5УС
Температурный диапазон: -60 ºС ... +85 ºС
Технические условия: АЕНВ.431320.583ТУ
* приведены сниженные значения стойкости к спецфакторам. Истинные значения стойкости предоставляются по запросу
Техническое описание
Габаритный чертеж
Условное обозначение для САПР
3D-модели для САПР (step, stl)
5580НВ015 01
5580НВ015
10-разрядный конвейерный аналого-цифровой преобразователь

Частота преобразования: до 1 МГц
Разрядность: 10 бит
Напряжение питания: 5,0 В
Потребление: 120 мА 
Температура: до +85ºС
Поставка с приёмкой ВП

Параметр Характеристики
Состояние разработки: ОКР завершена. Микросхема поставляется с Литера-А
Технология: Объемный кремний, 2.6 мкм
Напряжение питания: 5 В ± 5%
Частота преобразования: от 0,1 МГц до 1,0 МГц
Интегральная нелинейность: ± 5 МЗР
Дифференциальная нелинейность: ± 2 МЗР
Динамический ток потребления: 120 мА
Тип корпуса: МК.5134.64-6, УФ0.481.005ТУ
Стойкость к спецфакторам
не ниже*:		 7И1 - 0.1·1УС; 7И6 - 0.1·1УС; 7И7 - 0.3·1УС;
7С1 - 50·5УС; 7С4 - 0.97·5УС
Температурный диапазон: -60 ºС ... +85 ºС
Технические условия: АЕНВ.431320.124ТУ
* приведены сниженные значения стойкости к спецфакторам. Истинные значения стойкости предоставляются по запросу
Техническое описание
Габаритный чертеж
Условное обозначение для САПР
3D-модели для САПР (step, stl)

Радиационно стойкие ЦАП

placeholder image
5536НА015
10-разрядный цифро-аналоговый преобразователь

Время установления: 5 мкс
Напряжение питания: 5 В
Выходное напряжение полной шкалы: 20,48 В 
Потребление: 50 мА 
Температура: до +85 ºС
Поставка с приёмкой ВП

Параметр Характеристики
Состояние разработки: ОКР завершена
Технология: Объемный кремний, 0.24 мкм
Время установления: не более 5 мкс
Напряжение питания аналого-цифровой части: 5,0 В ± 10%
Напряжение питания выходного каскада: 22 В - 25 В
Опорное напряжение: не более 2.4-2.6 В
Выходное напряжение полной шкалы: 20,48 В
Динамический ток потребления: 50 мА
Емкость нагрузки: 30 пФ
Тип корпуса: Н08.24-1В, УФ0.481.005ТУ
Стойкость к спецфакторам
не ниже*:		 7И1 - 0.9·5УС; 7И6 - 0.95·5УС; 7И7 - 0.95·5УС
Температурный диапазон: -60 ºС ... +85 ºС
Технические условия: 5134.64-3 УФ0.481.005ТУ
* приведены сниженные значения стойкости к спецфакторам. Истинные значения стойкости предоставляются по запросу
Техническое описание
Габаритный чертеж
Условное обозначение для САПР
Посадочное место для САПР
3D-модели для САПР (step, stl)

Предприятие:

Контакты: